[發明專利]一種強化輻射制冷領域的復合結構表面有效
| 申請號： | 202110295321.9 | 申請日： | 2021-03-19 |
| 公開（公告）號： | CN113063240B | 公開（公告）日： | 2022-04-12 |
| 發明（設計）人： | 崔貴成;呂繼組;高林松;白敏麗 | 申請（專利權）人： | 大連理工大學 |
| 主分類號： | F25B23/00 | 分類號： | F25B23/00;B32B15/01;B32B3/08 |
| 代理公司： | 大連理工大學專利中心 21200 | 代理人： | 溫福雪 |
| 地址： | 116024 遼*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 強化 輻射 制冷 領域 復合 結構 表面 | ||
【權利要求書】：
1.一種強化輻射制冷領域的復合結構表面，其特征在于，該強化輻射制冷領域的復合結構表面包括金屬鎢襯底、半導體鍺電介質層和鈦金屬條，半導體鍺電介質層位于金屬鎢襯底上，鈦金屬條位于半導體鍺電介質層上，形成鈦-鍺-鎢微納的復合結構；
所述的金屬鎢襯底的厚度L8為2-2.5μm；所述的半導體鍺電介質層L7為0.6-0.8μm；所述的鈦金屬條的長度L3為1-1.2μm，寬度L4為0.2-0.25μm，高度L9為0.06-0.08μm；鈦金屬條垂直和平行交錯分布在半導體鍺電介質層上；兩平行鈦金屬條在平行方向的間距L2為1μm，兩垂直鈦金屬條在平行方向距離為L3+2L1為1.8-2μm；兩垂直鈦金屬條在垂直方向的距離L6為1μm，兩平行鈦金屬條在垂直方向距離L3+2L5為1.8-2μm；
所述鈦-鍺-鎢微納的復合結構，在不同的入射波長情況下，輻射結構在不同的地方進行強化吸收。
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