[發明專利]流量感測裝置及其制造方法和流體特性測量系統

在審

• 申請號: 202110295228.8
• 申請日: 2021-03-19
• 公開（公告）號: CN113493186A
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發明（設計）人: G·加特瑞;F·里奇尼;L·奎利諾尼;L·科索;D·朱斯蒂
• 申請（專利權）人: 意法半導體股份有限公司
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02;B81C1/00;G01F1/84
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 董莘

1.一種方法，包括：

通過以下步驟制造基于科里奧利力的流量感測裝置：

在基底的絕緣層上的驅動電極上形成第一犧牲區域；

在所述第一犧牲區域上形成第一結構部分，所述第一結構部分具有埋入所述第一結構部分中的第二犧牲區域，其中所述第二犧牲區域的一部分至少部分地與所述驅動電極重疊；

形成穿過所述第一結構部分的一部分的至少一個孔，所述孔到達所述第二犧牲區域；

在所述孔內形成多孔層，所述多孔層具有孔隙，所述孔隙的尺寸被確定為允許蝕刻劑通過，所述蝕刻劑被配置為選擇性地去除所述第二犧牲區域；

通過使用所述蝕刻劑穿過所述多孔層的所述孔隙選擇性地去除所述第二犧牲區域來形成埋入通道；

通過形成與所述第一結構部分結合的第二結構部分來形成結構體；

形成橫向于所述埋入通道的通孔，所述通孔到達所述第一犧牲區域；以及

通過經由所述通孔選擇性地去除所述第一犧牲區域來將所述結構體的區域懸置在所述驅動電極上。

2.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述第一犧牲區域還包括：形成具有選定厚度的所述第一犧牲區域，所述選定厚度限定所述驅動電極和所述結構體之間的電容耦合。

3.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述結構體還包括：由導電材料形成所述結構體。

4.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述第二犧牲區域還包括：

形成犧牲層；以及

通過去除所述犧牲層的部分來形成所述埋入通道，所述埋入通道允許液體或氣體流過所述埋入通道。

5.根據利要求1所述的方法，其中形成所述多孔層還包括：通過低壓化學氣相沉積(LPCVD)工藝，將所述多孔層生長至具有在100nm與150nm范圍內的厚度。

6.根據權利要求1所述的方法，其中形成結構體的所述第二部分還包括：利用外延工藝填充所述多孔層的所述孔隙，而不穿透所述埋入通道。

7.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述多孔層還包括：形成具有范圍為從1nm至50nm的直徑的孔隙的多孔多晶硅的多孔層。

8.根據權利要求1所述的方法，還包括：在所述絕緣層上距所述驅動電極一定距離處形成至少一個感測電極，其中形成所述第一犧牲區域還包括：在所述感測電極上形成所述第一犧牲區域，并且其中形成所述結構體的所述第一結構部分還包括：形成與所述感測電極部分地重疊的所述第一結構部分。

9.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述驅動電極還包括：形成導電材料，并且去除所述導電材料的部分。

10.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述結構體的所述第一結構部分包括：在所述基底上形成所述結構體的所述第一結構部分的錨固件，并且延伸穿過所述第一犧牲區域。

11.根據權利要求1的方法，還包括：通過在所述埋入通道內形成特性改變層，來形成具有可潤濕表面的所述埋入通道的內壁，并且保護所述埋入通道的所述內壁免受在使用期間流入所述埋入通道的流體的影響。

12.根據權利要求1所述的方法，其中選擇性地去除所述第二犧牲區域還包括：形成所述結構體的懸置區域，所述懸置區域將所述埋入通道容納在所述懸置區域內。

13.根據權利要求1所述的方法，還包括：通過將帽(10)耦合至所述結構體在所述帽與所述結構體之間形成與所述懸置區域至少部分地重疊的空腔，來將所述結構體的至少所述懸置區域與外部環境隔離。

14.根據權利要求1所述的方法，其中所述基底和所述結構體由硅制成，并且所述第一犧牲區域和所述第二犧牲區域由氧化硅制成。