[發明專利]一種微小晶片的光刻方法、晶片載片及光刻工裝

在審

• 申請號: 202110295030.X
• 申請日: 2021-03-19
• 公開（公告）號: CN113064333A
• 公開（公告）日: 2021-07-02
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 北京智創芯源科技有限公司
• 主分類號: G03F9/00
• 分類號: G03F9/00;G03F7/38;H01L21/027;H01L21/68
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王雨

1.一種微小晶片的光刻方法，其特征在于，包括：

將待光刻晶片嵌設于晶片載片的裝片卡槽上；其中，所述晶片載片包括與所述裝片卡槽共面設置的對準標記；

對所述待光刻晶片進行涂膠并烘烤；

根據所述對準標記對經過烘烤的待光刻晶片進行投影曝光；

對曝光后的待光刻晶片進行顯影，得到具有圖形化光刻膠層的微小晶片。

2.如權利要求1所述的微小晶片的光刻方法，其特征在于，所述晶片載片包括多個所述裝片卡槽；

相應地，所述根據所述對準標記對經過烘烤的待光刻晶片進行投影曝光包括：

根據所述對準標記對經過烘烤的多個待光刻晶片進行步進式投影曝光。

3.一種晶片載片，其特征在于，所述晶片載片的表面包括裝片卡槽及與所述裝片卡槽共面設置的對準標記；

所述裝片卡槽，用于嵌設待光刻晶片；

所述對準標記，在所述待光刻晶片投影曝光過程中作為定位根據。

4.如權利要求3所述的晶片載片，其特征在于，所述對準標記設置于所述晶片載片的邊緣及中心。

5.如權利要求3所述的晶片載片，其特征在于，所述對準標記為十字標記。

6.如權利要求3所述的晶片載片，其特征在于，所述裝片卡槽的尺寸與所述待光刻晶片的尺寸的差值的范圍為5微米至10微米，包括端點值。

7.如權利要求3所述的晶片載片，其特征在于，所述裝片卡槽的深度與所述待光刻晶片的厚度的差值的范圍為0微米至30微米，包括端點值。

8.如權利要求3所述的晶片載片，其特征在于，所述晶片載片為抗腐蝕載片。

9.如權利要求8所述的晶片載片，其特征在于，所述晶片載片為硅片。

10.一種光刻工裝，其特征在于，所述光刻工裝包括如權利要求3至9任一項所述的晶片載片。