[發(fā)明專利]垂直存儲器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110294907.3
• 申請日: 2021-03-19
• 公開（公告）號: CN113496999A
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 任鐘皓;趙厚成;金泓秀
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L27/11526;H01L27/11573
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 屈玉華

一種垂直存儲器件包括：在基板上的外圍電路的電路圖案，該電路圖案包括下導(dǎo)電圖案；單元堆疊結(jié)構(gòu)，在電路圖案之上并在第一水平方向上間隔開，其中每個單元堆疊結(jié)構(gòu)包括在垂直方向上間隔開的柵電極；第一絕緣夾層，覆蓋單元堆疊結(jié)構(gòu)以及在單元堆疊結(jié)構(gòu)之間的部分；貫穿通路接觸，穿過單元堆疊結(jié)構(gòu)之間的第一絕緣夾層以接觸下導(dǎo)電圖案的上表面；至少一個虛設(shè)貫穿通路接觸，穿過單元堆疊結(jié)構(gòu)之間的第一絕緣夾層并與貫穿通路接觸相鄰地設(shè)置；以及在貫穿通路接觸上的上布線。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明構(gòu)思的實施方式涉及垂直存儲器件。更具體地，本發(fā)明構(gòu)思的實施方式涉及具有外圍上單元(COP)結(jié)構(gòu)的垂直存儲器件。

背景技術(shù)

具有COP結(jié)構(gòu)的垂直存儲器件包括形成在基板上的一個或更多個外圍電路以及垂直設(shè)置在外圍電路(們)之上的存儲單元的布置。就這點而言，垂直存儲器件可以包括穿過覆蓋存儲單元的絕緣夾層并接觸與外圍電路(們)相關(guān)的布線的貫穿通路接觸。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明構(gòu)思的實施方式提供具有COP結(jié)構(gòu)并且特征在于減少布線缺陷的數(shù)量的垂直存儲器件。

本發(fā)明構(gòu)思的實施方式提供垂直存儲器件，其包括與貫穿通路接觸(們)相鄰的虛設(shè)貫穿通路接觸(們)，其減少與貫穿通路接觸(們)相關(guān)的缺陷的數(shù)量。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施方式，提供一種垂直存儲器件，該垂直存儲器件包括：在基板上的外圍電路的電路圖案，電路圖案包括下導(dǎo)電圖案；單元堆疊結(jié)構(gòu)，在電路圖案之上并在第一水平方向上間隔開，其中每個單元堆疊結(jié)構(gòu)包括在垂直方向上間隔開的柵電極；第一絕緣夾層，覆蓋單元堆疊結(jié)構(gòu)和在單元堆疊結(jié)構(gòu)之間的部分；貫穿通路接觸，穿過單元堆疊結(jié)構(gòu)之間的第一絕緣夾層以接觸下導(dǎo)電圖案的上表面；至少一個虛設(shè)貫穿通路接觸，穿過單元堆疊結(jié)構(gòu)之間的第一絕緣夾層并與貫穿通路接觸相鄰設(shè)置；以及在貫穿通路接觸上的上布線。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施方式，提供一種垂直存儲器件，該垂直存儲器件包括：電路圖案，包括下導(dǎo)電圖案；單元堆疊結(jié)構(gòu)，在電路圖案之上并在第一水平方向上間隔開，其中每個單元堆疊結(jié)構(gòu)包括在垂直方向上間隔開的柵電極；第一絕緣夾層，覆蓋單元堆疊結(jié)構(gòu)以及在單元堆疊結(jié)構(gòu)之間的部分；貫穿通路接觸，穿過單元堆疊結(jié)構(gòu)之間的第一絕緣夾層以接觸下導(dǎo)電圖案的上表面并電連接下晶體管；至少一個虛設(shè)貫穿通路接觸，與貫穿通路接觸相鄰地設(shè)置，穿過單元堆疊結(jié)構(gòu)之間的第一絕緣夾層并與下晶體管電絕緣；以及在貫穿通路接觸上的上布線，其中貫穿通路接觸的上部直徑與在貫穿通路接觸和所述至少一個虛設(shè)貫穿通路接觸之間的距離的比率落在約1:0.5至1:10的范圍內(nèi)。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施方式，提供一種制造垂直存儲器件的方法。該方法包括：在基板上形成外圍電路的電路圖案，其中電路圖案包括下晶體管、連接到下晶體管的下接觸插塞以及連接到下接觸插塞的下導(dǎo)電圖案；用下絕緣夾層覆蓋電路圖案；在下絕緣夾層上形成由絕緣圖案分隔開的相對的半導(dǎo)體基底；在半導(dǎo)體基底上形成具有階梯形狀的相應(yīng)模具結(jié)構(gòu)，其中每個模具結(jié)構(gòu)包括焊盤區(qū)域和單元區(qū)域；形成第一絕緣夾層以覆蓋模具結(jié)構(gòu)和絕緣圖案；在模具結(jié)構(gòu)的相應(yīng)焊盤區(qū)域中形成穿過第一絕緣夾層的接觸孔；在接觸孔中形成單元接觸插塞；形成穿過第一絕緣夾層和絕緣圖案的貫穿通路孔以暴露下導(dǎo)電圖案；穿過第一絕緣夾層和絕緣圖案且與貫穿通路孔相鄰靠近地形成多個虛設(shè)貫穿通路孔以暴露下導(dǎo)電圖案；在貫穿通路孔中形成貫穿通路接觸以及在多個虛設(shè)貫穿通路孔中形成多個虛設(shè)貫穿通路接觸；在第一絕緣夾層上形成第二絕緣夾層以覆蓋單元接觸插塞的上表面、貫穿通路接觸的上表面和所述多個虛設(shè)貫穿通路接觸的上表面；穿過第二絕緣夾層選擇性地暴露單元接觸插塞和貫穿通路接觸；以及穿過第二絕緣夾層將在第二絕緣夾層上的上導(dǎo)電圖案電連接到單元接觸插塞和貫穿通路接觸。

附圖說明

通過結(jié)合附圖考慮某些示出的實施方式，本發(fā)明構(gòu)思可以被更清楚地理解，附圖中：

圖1A和圖1B是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施方式的垂直存儲器件的相應(yīng)剖視圖；

圖2是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施方式的垂直存儲器件的平面圖(或俯視圖)；