[發(fā)明專利]異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110294738.3
• 申請(qǐng)日: 2021-03-19
• 公開（公告）號(hào): CN113066723B
• 公開（公告）日: 2022-06-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃治浩;蔡文必;郭佳衢;魏鴻基
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門市三安集成電路有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/331
• 分類號(hào): H01L21/331;H01L29/73;H01L29/737;H01L29/47
• 代理公司: 北京超成律師事務(wù)所 11646
• 代理人: 裴素英

1.一種異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

制作完成異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管HBT器件結(jié)構(gòu)后，涂覆光阻并在所述HBT器件結(jié)構(gòu)一側(cè)的非絕緣區(qū)域定義第一開口、在絕緣區(qū)域定義第二開口；

刻蝕所述第一開口和第二開口的鈍化層使集電層暴露；

基于所述第一開口形成第一金屬氮化物層，基于所述第二開口形成第二金屬氮化物層，所述第一金屬氮化物層與第二金屬氮化物層材料相同且同時(shí)沉積制作；

在所述第一金屬氮化物層和第二金屬氮化物層制作完成之前或之后，在所述HBT器件結(jié)構(gòu)涂覆光阻并在HBT器件結(jié)構(gòu)一側(cè)的非絕緣區(qū)域定義第三開口；

刻蝕所述第三開口的鈍化層使集電層暴露；

基于所述第三開口形成第三金屬層，所述第一金屬氮化物層與所述第三金屬層分別與所述集電層肖特基接觸形成肖特基結(jié)，所述第一金屬氮化物層和第三金屬層的材料不同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管的制作方法，其特征在于，所述基于所述第一開口形成第一金屬氮化物層，基于所述第二開口形成第二金屬氮化物層的步驟之后，所述方法還包括：

剝離涂覆的光阻以及位于所述光阻上的金屬；

對(duì)所述HBT器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行清洗處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管的制作方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述HBT器件結(jié)構(gòu)上涂覆光阻；

加光罩并曝光處理，以在所述HBT器件結(jié)構(gòu)一側(cè)的非絕緣區(qū)域定義第四開口；

刻蝕所述第四開口的鈍化層和集電層，使所述集電層下方的半導(dǎo)體層暴露；

基于所述第四開口進(jìn)行金屬蒸鍍，形成集電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管的制作方法，其特征在于，所述第一金屬氮化物層和所述第二金屬氮化物層由氮化鉭組成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管的制作方法，其特征在于，所述第三金屬層包括Ti/Pt/Au/Ti。

6.一種異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管，其特征在于，包括：

襯底；

形成于所述襯底上的半導(dǎo)體層；

依次形成于所述半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的集電層、鈍化層，所述鈍化層包括貫穿所述鈍化層以暴露出所述集電層的非絕緣區(qū)域的第一開口和第三開口；

形成于所述第一開口和第三開口內(nèi)的第一金屬氮化物層和第三金屬層；

其中，所述第一金屬氮化物層和所述第三金屬層分別與所述集電層肖特基接觸形成肖特基結(jié)，且所述第一金屬氮化物層和所述第三金屬層的材料不同；

所述鈍化層還包括貫穿所述鈍化層以暴露出所述集電層的絕緣區(qū)域的第二開口；

所述晶體管還包括：

形成于所述第二開口內(nèi)的第二金屬氮化物層，所述第一金屬氮化物層和所述第二金屬氮化物層材料相同。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管，其特征在于，所述第一金屬氮化物層和所述第二金屬氮化物層由氮化鉭組成。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管，其特征在于，所述第三金屬層包括Ti/Pt/Au/Ti。