[發(fā)明專利]一種嵌埋封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110294274.6
• 申請(qǐng)日: 2021-03-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113130420A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳先明;馮磊;黃本霞;寶玥;王聞師
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南通越亞半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L25/065;H01L21/56
• 代理公司: 北京風(fēng)雅頌專利代理有限公司 11403
• 代理人: 李翔;鮑勝如

1.一種多層嵌埋封裝結(jié)構(gòu)，包括第一介電層和在所述第一介電層上的第二介電層，所述第一介電層包括第一布線層，所述第二介電層包括沿高度方向貫穿所述第二介電層的第一銅柱層和器件放置口框以及在所述第一銅柱層上的第二布線層，在所述第二布線層上設(shè)置有第二銅柱層，所述第一布線層和所述第二布線層通過(guò)所述第一銅柱層導(dǎo)通連接，其中在所述器件放置口框的底部貼裝有第一器件，使得所述第一器件的端子與所述第一布線層導(dǎo)通連接，在所述第二介電層上貼裝有第二器件，使得所述第二器件的端子與所述第二布線層導(dǎo)通連接，在所述第二銅柱層的端部貼裝有第三器件，使得所述第三器件的端子與所述第二銅柱層導(dǎo)通連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層嵌埋封裝結(jié)構(gòu)，其中在所述第一器件和第二器件與所述封裝結(jié)構(gòu)的空隙中填充有介電材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層嵌埋封裝結(jié)構(gòu)，其中所述第一介電層和所述第二介電層包括有機(jī)介電材料、無(wú)機(jī)介電材料或它們的組合。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多層嵌埋封裝結(jié)構(gòu)，其中所述第一介電層和所述第二介電層包括聚酰亞胺、環(huán)氧樹(shù)脂，雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹(shù)脂、陶瓷填料、玻璃纖維或它們的組合。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層嵌埋封裝結(jié)構(gòu)，其中在所述第三器件上覆蓋有塑封層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層嵌埋封裝結(jié)構(gòu)，其中所述第一器件和所述第二器件包括具有雙面端子的器件，使得所述第二器件的端子與所述第一器件的端子導(dǎo)通連接，所述第二器件的端子與所述第三器件的端子導(dǎo)通連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層嵌埋封裝結(jié)構(gòu)，其中所述第一、第二和第三器件分別包括至少一個(gè)器件。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層嵌埋封裝結(jié)構(gòu)，其中在所述第一介電層的底面上設(shè)置有阻焊層和阻焊開(kāi)窗。

9.一種多層嵌埋封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括如下步驟：

(a)在臨時(shí)承載板上形成第一布線層，在所述第一布線層上層壓第一介電層，減薄所述第一介電層以暴露出上述第一布線層；

(b)在所述第一介電層上形成第一銅柱層，所述第一銅柱層包括犧牲銅柱，在所述第一銅柱層上層壓第二介電層，減薄所述第二介電層以暴露出所述第一銅柱層；

(c)在所述第二介電層上形成第二布線層，使得所述第一布線層和所述第二布線層通過(guò)所述第一銅柱層導(dǎo)通連接；

(d)在所述第二布線層上形成第二銅柱層；

(e)蝕刻所述犧牲銅柱，形成暴露出所述第一布線層的器件放置口框；

(f)移除所述臨時(shí)承載板。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，還包括：

(g)在所述器件放置口框的底部貼裝第一器件，使得第一器件的端子與第一布線層導(dǎo)通連接；

(h)在所述第二布線層上貼裝第二器件，使得所述第二器件的端子與所述第二布線層導(dǎo)通連接；

(i)在所述第二銅柱層的端部貼裝第三器件，使得所述第三器件的端子與所述第二銅柱層導(dǎo)通連接。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造方法，還包括：

(h')在步驟h之后和步驟i之前，填充介電材料覆蓋所述第一器件和所述第二器件。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造方法，還包括：

(i')在步驟i之后，層壓介電材料形成覆蓋所述第三器件的塑封層。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其中步驟(a)包括：

(a1)在所述臨時(shí)承載板上施加第一光刻膠層，曝光顯影形成第一特征圖案；

(a2)在所述第一特征圖案中電鍍形成第一布線層，并移除所述第一光刻膠層；

(a3)在所述第一布線層上層壓第一介電層，并減薄所述第一介電層以暴露所述第一布線層。