[發明專利]一種高峰值功率的超寬帶對踵型Vivaldi天線

在審

• 申請號: 202110293522.5
• 申請日: 2021-03-19
• 公開（公告）號: CN113555681A
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發明（設計）人: 李澤宇;李雪飛;周維思;丁宇昊
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q9/04
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 鄧黎

1.一種高峰值功率的超寬帶對踵型Vivaldi天線，包括矩形介質基板(1)、微帶巴倫結構(4)、輻射貼片；其特征在于：

所述輻射貼片包括分別設置于介質基板上、下表面的第一輻射貼片(2)、第二輻射貼片(3)；

所述第一輻射貼片(2)的結構由依次連接的第一指數曲線段(2-1)、橫向直線段L1、縱向長直線段W1、第二指數曲線段(2-2)、短縱向直線段W2圍成；其中，所述橫向直線段L1、縱向長直線段W1分別與介質基板的兩條邊重合，短縱向直線段W2與微帶巴倫結構連接，且橫向直線段L1中部設置有凹槽結構(5)；

所述第二輻射貼片(3)的形狀與第一輻射貼片(2)相同，且第一輻射貼片(2)、第二輻射貼片(3)鏡像對稱設置；

所述微帶巴倫結構(4)為雙面漸近線微帶巴倫。

2.如權利要求1所述的一種高峰值功率的超寬帶對踵型Vivaldi天線，其特征在于：所述凹槽(5)為向微帶巴倫結構(4)方向傾斜的斜入式開槽結構。

3.如權利要求2所述的一種高峰值功率的超寬帶對踵型Vivaldi天線，其特征在于：所述凹槽(5)為四個角均進行倒圓角操作的矩形槽結構。

4.如權利要求3所述的一種高峰值功率的超寬帶對踵型Vivaldi天線，其特征在于：所述縱向長直線段W1與第二指數曲線段(2-2)、橫向直線段L1的連接處也進行倒圓角操作。

5.如權利要求1或3所述的一種高峰值功率的超寬帶對踵型Vivaldi天線，其特征在于：所述微帶巴倫結構包括設置于介質基板正面的第一金屬貼片(4-1)、設置于介質基板背面的第二金屬貼片(4-2)，所述第一金屬貼片(4-1)通用兩條1/4的漸變橢圓弧線將饋電同軸轉換為微帶線；所述第二金屬貼片(4-2)為矩形微帶線；所述漸變橢圓弧線的長寬比為1：2。

6.如權利要求5所述的一種高峰值功率的超寬帶對踵型Vivaldi天線，其特征在于：所述短縱向直線段的長度與矩形微帶線的線寬相同，連接處平滑過渡。

7.如權利要求1或3所述的一種高峰值功率的超寬帶對踵型Vivaldi天線，其特征在于：所述長方形介質基板采用FR4材質的介質基板，相對介電常數為4.4，損耗角正切為0.02，耐壓值為45KV/mm，尺寸為360mm×300mm×2mm。