[發明專利]一種3比特相位可調的微帶反射單元有效
| 申請號: | 202110292514.9 | 申請日: | 2021-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN112909572B | 公開(公告)日: | 2022-07-19 |
| 發明(設計)人: | 林先其;黃晨路;萬家輝;蔡楊 | 申請(專利權)人: | 電子科技大學長三角研究院(湖州) |
| 主分類號: | H01Q15/14 | 分類號: | H01Q15/14;H01Q1/50;H01Q1/48 |
| 代理公司: | 成都東恒知盛知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 51304 | 代理人: | 何健雄;廖祥文 |
| 地址: | 313000 浙江省湖州市西*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 比特 相位 可調 微帶 反射 單元 | ||
1.一種3比特相位可調的微帶反射單元,其特征在于:包括第一介質基板(1)、第二介質基板(2)、第三介質基板(3)、金屬地板(4)、印制在第一介質基板(1)上的結構單元(5)、用于接地和固定的金屬螺絲釘(6)以及直流饋電結構(7),所述結構單元(5)由印制在第一介質基板(1)正面的貼片(50)、印制在第一介質基板(1)正反兩面的8段相同的相位延遲線(51)以及加載在貼片(50)和8段相位延遲線(51)之間的8個PIN二極管(52)構成;所述直流饋電結構(7)由印制在第一介質基板(1)上的8個第一焊盤(70)、加載在8個第一焊盤(70)和8段相位延遲線(51)之間的8個隔交電感(71)、印制在第三介質基板(3)反面的8個第二焊盤(72)以及連接8個第一焊盤(70)和8個第二焊盤(72)的8個被絕緣介質包裹的金屬探針(73)構成;所述第一介質基板(1)的中心鉆有用于接地和固定用的金屬通孔(10),四周鉆有用于穿過8個被絕緣介質包裹的金屬探針(73)的8個通孔(11);所述第二介質基板(2)的中心鉆有用于接地和固定用的通孔(20),四周鉆有用于穿過8個被絕緣介質包裹的金屬探針(73)的8個通孔(21);所述金屬螺絲釘(6)與第一介質基板(1)的通孔(10)以及第二介質基板(2)的通孔(20)直徑相同;所述金屬地板(4)鉆有用于穿過8個被絕緣介質包裹的金屬探針(73)的8個通孔(41),通孔直徑略大于金屬探針(73)直徑。
2.根據權利要求1所述的3比特相位可調的微帶反射單元,其特征在于:所述第一介質基板(1)的厚度為1mm,第二介質基板(2)的厚度為1mm,第三介質基板(3)的厚度為0.4mm。
3.根據權利要求1所述的3比特相位可調的微帶反射單元,其特征在于:所述金屬地板(4)的厚度為4mm。
4.根據權利要求1所述的3比特相位可調的微帶反射單元,其特征在于:所述3比特相位可調的微帶反射單元中第一介質基板(1)、第二介質基板(2)、第三介質基板(3)以及金屬地板(4)均具有正方形的單元邊界,且具有相同邊長。
5.根據權利要求4所述的3比特相位可調的微帶反射單元,其特征在于:所述邊長31mm。
6.根據權利要求1所述的3比特相位可調的微帶反射單元,其特征在于:所述貼片(50)為金屬圓形的。
7.根據權利要求1所述的3比特相位可調的微帶反射單元,其特征在于:所述被絕緣介質包裹的金屬探針(73)的直徑為0.64mm。
8.根據權利要求1所述的3比特相位可調的微帶反射單元,其特征在于:所述第一介質基板(1)的通孔(10)以及第二介質基板(2)的通孔(20)直徑相同,均為2.4mm。
9.根據權利要求1所述的3比特相位可調的微帶反射單元,其特征在于:所述8段相同的相位延遲線(51)分布在金屬圓形貼片(50)的四周,通過8個PIN二極管(52)控制金屬圓形貼片(50)與不同位置處的相位延遲線(51)的通斷,可以實現反射單元的反射相位可控調節,同一時間只有一個PIN二極管打開;所述的3比特相位可調的微帶反射單元可以通過調節8段相同的相位延遲線(51)之間的角度控制反射相位的最小改變量。
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