[發明專利]后段刻蝕后清洗方法

在審

• 申請號: 202110292312.4
• 申請日: 2021-03-18
• 公開（公告）號: CN113140445A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 陳玉獅;謝玟茜
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/768
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

1.一種后段刻蝕后清洗方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、提供一晶圓，所述晶圓的第一表面上完成了后段刻蝕，所述第一表面的背面為第二表面；

步驟二、對所述晶圓的第一表面和第二表面進行預清洗，所述預清洗為去靜電清洗以去除所述晶圓的第一表面和第二表面的靜電；

步驟三、采用uDHF溶液對所述晶圓的第一表面進行主清洗，以去除所述后段刻蝕的刻蝕殘余物，所述uDHF溶液為DHF和H2SO4的混合液。

2.如權利要求1所述的后段刻蝕后清洗方法，其特征在于：所述去預清洗的清洗液采用DICO₂，所述DICO₂為混合有二氧化碳的去離子水。

3.如權利要求1所述的后段刻蝕后清洗方法，其特征在于：所述uDHF溶液中，DHF的HF的溶度為10ppm～50ppm；H2SO4的溶度為1％～10％。

4.如權利要求1所述的后段刻蝕后清洗方法，其特征在于：所述晶圓包括硅晶圓。

5.如權利要求4所述的后段刻蝕后清洗方法，其特征在于：步驟一中，所述后段刻蝕包括通孔的開口刻蝕。

6.如權利要求5所述的后段刻蝕后清洗方法，其特征在于：所述晶圓的后段工藝中采用銅互連結構，銅互連結構中包括多層銅線以及在各層所述銅線之間設置有所述通孔，所述后段刻蝕還包括所述銅線的溝槽刻蝕。

7.如權利要求6所述的后段刻蝕后清洗方法，其特征在于：所述銅線和所述通孔采用大馬士革工藝形成；所述大馬士革工藝包括單大馬士革工藝和雙大馬士革工藝；

當采用雙大馬士革工藝時，所述通孔的開口和所述銅線的溝槽采用一體化刻蝕形成，步驟一中的所述后段刻蝕為所述一體化刻蝕；

所述晶圓的第一表面為所述晶圓的正面。

8.如權利要求7所述的后段刻蝕后清洗方法，其特征在于：所述通孔的開口底部將底層銅線表面暴露，所述通孔的開口的頂部和所述銅線的溝槽相連通。

9.如權利要求8所述的后段刻蝕后清洗方法，其特征在于：所述通孔的開口和所述銅線的溝槽穿過層間膜。

10.如權利要求9所述的后段刻蝕后清洗方法，其特征在于：所述層間膜的材料包括低K介質層。

11.如權利要求10所述的后段刻蝕后清洗方法，其特征在于：所述低K介質層和所述底層銅線之間還隔離有銅擴散阻擋層。

12.如權利要求11所述的后段刻蝕后清洗方法，其特征在于：所述銅擴散阻擋層采用氮摻雜碳化硅層。

13.如權利要求10所述的后段刻蝕后清洗方法，其特征在于：所述層間膜的表面還形成有金屬硬質掩膜層，所述金屬硬質掩膜層定義出所述銅線的溝槽的形成區域。

14.如權利要求13所述的后段刻蝕后清洗方法，其特征在于：所述金屬硬質掩膜層采用TiN。

15.如權利要求1所述的后段刻蝕后清洗方法，其特征在于：步驟三中，所述主清洗中采用噴嘴將所述uDHF噴射到所述晶圓的第一表面。

16.如權利要求1所述的后段刻蝕后清洗方法，其特征在于：步驟三中，所述主清洗中從所述晶圓的邊緣開始采用掃描方式將所述uDHF噴射到所述晶圓的第一表面。

17.如權利要求2所述的后段刻蝕后清洗方法，其特征在于：步驟二中，所述預清洗中采用噴嘴將所述所述DICO₂噴射到所述晶圓的的第一表面和第二表面。