[發(fā)明專利]通孔的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110292266.8 | 申請日： | 2021-03-18 |
| 公開（公告）號： | CN113140505B | 公開（公告）日： | 2023-08-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 侯寧普 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四華 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 制造 方法 | ||
1.一種通孔的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟一、在需要形成通孔的層間膜表面上依次形成硬質(zhì)掩膜層、介質(zhì)抗反射層、底部抗反射層和光刻膠；
步驟二、對所述光刻膠進行圖形化并形成第一開口，所述第一開口位于所述通孔的形成區(qū)域；
步驟三、以所述光刻膠為掩膜依次對所述底部抗反射層和所述介質(zhì)抗反射層進行第一次刻蝕將圖形轉(zhuǎn)移到所述底部抗反射層和所述介質(zhì)抗反射層中，圖形化后的所述底部抗反射層和所述介質(zhì)抗反射層中形成有第二開口，所述第二開口位于所述第一開口底部且是所述第一開口向下轉(zhuǎn)移形成；
所述第一次刻蝕的刻蝕氣體中包括不敏銳氣體和敏銳氣體，所述敏銳氣體的氣體含量變化對所述第二開口的關(guān)鍵尺寸變化大于所述不敏銳氣體的氣體含量變化對所述第二開口的關(guān)鍵尺寸變化；
所述第一次刻蝕中會在所述第二開口的側(cè)面形成聚合物，通過調(diào)節(jié)所述非敏銳氣體的氣體含量調(diào)節(jié)所述第二開口的側(cè)面聚合物的厚度來調(diào)節(jié)所述第二開口的關(guān)鍵尺寸；
步驟四、依次對所述硬質(zhì)掩膜層和所述層間膜進行刻蝕將圖形向下轉(zhuǎn)移并在所述層間膜中形成通孔開口，所述通孔開口的關(guān)鍵尺寸由所述第二開口定義。
2.如權(quán)利要求1所述的通孔的制造方法，其特征在于：
步驟一中所述硬質(zhì)掩膜層為無定型碳層。
3.如權(quán)利要求1所述的通孔的制造方法，其特征在于：步驟一中，所述介質(zhì)抗反射層的頂部還形成有由氧化硅組成的蓋帽層。
4.如權(quán)利要求1或3所述的通孔的制造方法，其特征在于：步驟一中，所述介質(zhì)抗反射層的材料為SiON；
或者所述介質(zhì)抗反射層為無氮介質(zhì)抗反射層，所述無氮介質(zhì)抗反射層的材料包括SiOC。
5.如權(quán)利要求4所述的通孔的制造方法，其特征在于：步驟三中，所述不敏銳氣體的調(diào)控流量0.5sccm；所述敏銳氣體的調(diào)控流量小于所述不敏銳氣體的調(diào)控流量，所述第一次刻蝕的刻蝕氣體的調(diào)控流量越大所述第二開口的尺寸越容易控制。
6.如權(quán)利要求5所述的通孔的制造方法，其特征在于：所述不敏銳氣體的流量和所述第二開口的關(guān)鍵尺寸成線性關(guān)系且是隨著所述不敏銳氣體的流量越大所述第二開口的關(guān)鍵尺寸越小。
7.如權(quán)利要求6所述的通孔的制造方法，其特征在于：所述不敏銳氣體包括CH2F2。
8.如權(quán)利要求6所述的通孔的制造方法，其特征在于：所述敏銳氣體包括氧氣。
9.如權(quán)利要求1所述的通孔的制造方法，其特征在于：所述層間膜形成于半導(dǎo)體襯底上。
10.如權(quán)利要求9所述的通孔的制造方法，其特征在于：所述半導(dǎo)體襯底中形成有器件層，所述器件層中的各器件結(jié)構(gòu)包括柵極結(jié)構(gòu)和位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的源區(qū)和漏區(qū)，所述通孔開口位于所述柵極結(jié)構(gòu)、所述源區(qū)和所述漏區(qū)的頂部。
11.如權(quán)利要求1所述的通孔的制造方法，其特征在于：步驟四之后還包括在所述通孔開口中填充金屬層形成所述通孔的步驟。
12.如權(quán)利要求11所述的通孔的制造方法，其特征在于：所述通孔開口中填充的金屬層包括鎢。
13.如權(quán)利要求11所述的通孔的制造方法，其特征在于：所述光刻膠、所述底部抗反射層、所述介質(zhì)抗反射層和所述硬質(zhì)掩膜層在進行所述通孔開口的金屬層填充之前被去除。
14.如權(quán)利要求1所述的通孔的制造方法，其特征在于：步驟二中采用曝光和顯影完成所述光刻膠進行圖形化，在所述光刻膠圖形化后還包括進行ADI檢測的步驟；
步驟四完成后還包括進行AEI檢測的步驟。
15.如權(quán)利要求6所述的通孔的制造方法，其特征在于：步驟三之前，還包括預(yù)先擬合所述不敏銳氣體的流量和所述第二開口的關(guān)鍵尺寸之間的線性關(guān)系曲線，步驟三中，根據(jù)所述線性關(guān)系曲線和所需的所述第二開口的關(guān)鍵尺寸大小來調(diào)節(jié)所述不敏銳氣體的流量。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
