[發明專利]一種高壓元件非等向性制造方法

在審

• 申請號: 202110291965.0
• 申請日: 2021-03-18
• 公開（公告）號: CN113066722A
• 公開（公告）日: 2021-07-02
• 發明（設計）人: 徐涵;李玨蒨;高隆慶
• 申請（專利權）人: 揚州虹揚科技發展有限公司;英屬開曼群島商虹揚發展科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329;H01L21/304
• 代理公司: 北京文苑專利代理有限公司 11516
• 代理人: 周會

1.一種高壓元件非等向性制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：將半導體芯片表面清洗干凈，備用；

S2：將半導體芯片進行磷硼擴散，形成PN結的半導體芯片。

S3：利用S2所得的半導體芯片P極表面朝上放在激光切割機載片臺上，利用激光對半導體芯片進行垂直切割，形成垂直溝槽；然后將半導體芯片進行蝕刻步驟，獲得所需的半導體芯片厚度。

S4:蝕刻完畢后，在垂直溝槽里涂布玻璃漿料，經高溫燒制形成絕緣層；

S5:在半導體芯片P極和N極表面分別鍍兩層金屬鎳層，然后再鍍一層抗氧化金屬層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟S3中激光切割功率比為10-80％。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟S3中的蝕刻酸液以重量比計由以下組分組成：硝酸:氫氟酸:硫酸:冰醋酸＝(4-10):(4-10):(2-5):(3-8)。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，產品的最終厚度為180-350um。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟S4中高溫燒制的溫度為700-900℃。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟S5中兩層金屬鎳層的厚度為10-100um。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟S5中抗氧化金屬層為Au層。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用切割刀代替步驟S3中的激光進行切割。