[發(fā)明專利]高壓啟動供電電路、供電方法和原邊反饋控制電源電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110291875.1
• 申請日: 2021-03-18
• 公開（公告）號: CN112994438B
• 公開（公告）日: 2022-09-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林官秋;曾國梁
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市必易微電子股份有限公司
• 主分類號: H02M1/36
• 分類號: H02M1/36
• 代理公司: 杭州天昊專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33283
• 代理人: 向慶寧

1.一種高壓啟動供電電路，電性耦接于開關(guān)電源控制器的供電輸入端和供電輸出端之間，其特征在于，包括控制電路和啟動電路；

所述控制電路包括電源輸入端和電源輸出端；所述供電輸入端與所述啟動電路耦接，所述供電輸出端與所述電源輸出端電性連接；供電電流從所述電源輸入端流至所述供電輸出端而進(jìn)行供電；

所述啟動電路與所述控制電路耦接，供電電流從所述啟動電路通過所述電源輸入端流向所述控制電路,所述控制電路控制所述啟動電路的導(dǎo)通狀態(tài)；

所述控制電路還包括第一電流源和第一開關(guān)，所述第一開關(guān)電性接入所述第一電流源與所述啟動電路之間；閉合的所述第一開關(guān)使所述啟動電路給所述供電輸入端提供用于啟動所述供電輸出端的供電功能的保護(hù)壓降；

所述控制電路還包括第二開關(guān)和主控制管，所述主控制管耦接在所述電源輸入端和所述供電輸出端之間，所述主控制管的導(dǎo)通狀態(tài)用于控制所述供電電流的流通狀態(tài)；

所述第二開關(guān)電性接入所述主控制管柵極與第二電流源之間；所述主控制管源極電性連接所述電源輸入端，漏極電性連接所述供電輸出端；所述第二開關(guān)根據(jù)所述供電輸出端電壓來控制自身的開關(guān)狀態(tài)，從而控制所述主控制管的導(dǎo)通狀態(tài)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓啟動供電電路，其特征在于，所述主控制管為PMOS晶體管。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高壓啟動供電電路，其特征在于，所述控制電路包括第二控制信號端，還包括與所述主控制管耦接的供電限流電路；

所述供電限流電路包括由第二MOS管和第三MOS管耦接構(gòu)成的鏡像電路；

所述鏡像電路的共源極電性連接所述主控制管漏極，共柵極電性連接所述第三MOS管漏極；所述第三MOS管漏極電性連接所述供電輸出端；所述第二MOS管漏極與所述第二控制信號端耦接；

所述第二MOS管將流經(jīng)所述第三MOS管的所述供電電流鏡像為鏡像電流，并通過所述第二MOS管漏極反饋至所述第二控制信號端，以控制所述第二控制信號端的電位高低，所述第二控制信號端的電位高低決定所述電源輸入端輸入的所述供電電流的大小。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高壓啟動供電電路，其特征在于，所述第二MOS管漏極與所述第二控制信號端之間電性接入第四MOS管，通過所述第四MOS管的導(dǎo)通狀態(tài)來改變所述第二控制信號端的電位。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高壓啟動供電電路，其特征在于，所述第二MOS管漏極與接地之間電性接入并聯(lián)的第一電阻和第二電阻，所述第二電阻與接地之間電性接入第三開關(guān)，所述第三開關(guān)的開關(guān)狀態(tài)根據(jù)所述供電輸出端電壓來控制；

所述第四MOS管源極接地，漏極反饋接入所述第二控制信號端；所述第四MOS管柵極與所述第二MOS管漏極耦接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高壓啟動供電電路，其特征在于，所述啟動電路包括保護(hù)電阻和啟動MOS管；所述啟動MOS管為NMOS晶體管；所述保護(hù)電阻電性接入所述啟動MOS的柵極和漏極之間；

所述啟動MOS管源極電性連接所述電源輸入端，所述啟動MOS管漏極和所述保護(hù)電阻的公共連接端用于接入供電電源，所述啟動MOS管柵極和所述保護(hù)電阻的公共連接端電性接入所述第二控制信號端；

所述第二控制信號端電位用于控制所述啟動MOS的導(dǎo)通狀態(tài)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高壓啟動供電電路，其特征在于，所述第一開關(guān)的開關(guān)狀態(tài)根據(jù)所述供電輸出端電壓來控制；閉合的所述第一開關(guān)使所述第一電流源給所述保護(hù)電阻提供保護(hù)電流，所述保護(hù)電阻形成用于防回彈的保護(hù)壓降。