[發明專利]一種發光元件的制備方法及發光元件

有效

• 申請號: 202110291674.1
• 申請日: 2021-03-18
• 公開（公告）號: CN113054060B
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發明（設計）人: 吳和俊;劉偉文;李濤;彭紹文;周弘毅
• 申請（專利權）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/40;H01L33/44
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明提供了一種發光元件的制備方法及發光元件，通過對所述ITO層的表面疏水處理，形成疏水表面；所述疏水表面通過將所述ITO層表面的雜質與解離的氧離子結合后排出而形成；如此，可有效除去ITO層表面的雜質(如C和/或H等)，使得ITO層的表面由親水性轉變為疏水性，提高ITO層及鈍化層之間的粘附性，制備出較為致密的二氧化硅鈍化層。

技術領域

本發明涉及發光二極管領域，尤其涉及一種發光元件的制備方法及發光元件。

背景技術

隨著LED技術的快速發展以及LED光效的逐步提高，LED的應用也越來越廣泛，人們越來越關注LED在顯示屏的發展前景。LED芯片，作為LED燈的核心組件，其功能就是把電能轉化為光能，具體的，包括外延片和分別設置在外延片上的N型電極和P型電極。所述外延片包括P型半導體層、N型半導體層以及位于所述N型半導體層和P型半導體層之間的有源層，當有電流通過LED芯片時，P型半導體中的空穴和N型半導體中的電子會向有源層移動，并在所述有源層復合，使得LED芯片發光。

但是，無論是藍綠LED芯片或者是白光LED芯片，其鈍化層通常通過將SiH₄和N₂O反應生成的SiO₂薄膜；本發明人在實驗過程中發現：為了追求SiO₂薄膜的沉積與蝕刻速率，SiH₄：N₂0比例相對較高，反應腔內含有大量的反應物等離子體及副產物，沉積速率快，過多的雜質形成Si-N鍵、Si-H鍵等副產物無法及時被抽走，留在SiO₂薄膜中，進而導致膜層疏松，且芯片長期處于高溫高濕的逆偏壓環境中，疏松的鈍化層更容易受到水汽滲入，形成導電通道，額外的電流發熱導致氮化鎵被燒傷，進而出現死燈；由于工藝波動，ITO表面存在雜質使其配位不飽和，導致ITO蒸鍍后的一系列工序包括去膠、甩干等，容易與極性很強的水分子結合，表現為親水性，導致后續膜層覆蓋后，彼此無法形成強鍵，粘附性變差。

有鑒于此，本發明人專門設計了一種發光元件的制備方法及發光元件，本案由此產生。

發明內容

本發明的目的在于提供一種發光元件的制備方法及發光元件，以實現ITO層的疏水表面。

為了實現上述目的，本發明采用的技術方案如下：

一種發光元件的制備方法，所述制備方法包括如下步驟：

步驟S01、提供一襯底；

步驟S02、層疊一外延疊層于所述襯底表面，所述外延疊層包括沿第一方向依次堆疊第一型半導體層、有源區以及第二型半導體層，所述第一方向垂直于所述襯底，并由所述襯底指向所述外延疊層；

步驟S03、將所述外延疊層的局部區域蝕刻至部分所述的第一型半導體層，形成凹槽及發光臺面；

步驟S04、層疊一ITO層于所述發光臺面的表面；

步驟S05、對所述ITO層的表面疏水處理，形成疏水表面；所述疏水表面通過將所述ITO層表面的雜質與解離的氧離子結合后排出而形成；

步驟S06、生長一鈍化層，其覆蓋所述外延疊層并分別裸露所述發光臺面和所述凹槽的部分表面；

步驟S07、生長一第一電極和一第二電極，所述第一電極層疊于所述凹槽的裸露部并向上延伸至所述鈍化層的表面；所述第二電極層疊于所述發光臺面的裸露部并向上延伸至所述鈍化層的表面。

優選地，所述疏水表面的形成包括：通過對笑氣進行解離出氧離子，使解離的氧離子與所述ITO層表面的雜質結合形成氣體后被排出。

優選地，將所述步驟S05與所述步驟S06同步完成，具體包括：