[發明專利]用于封裝制造的激光燒蝕

在審

• 申請號: 202110290683.9
• 申請日: 2021-03-18
• 公開（公告）號: CN113643983A
• 公開（公告）日: 2021-11-12
• 發明（設計）人: K·萊斯徹基什;類維生;J·L·富蘭克林;J·德爾馬斯;陳翰文;G·帕克;S·文哈弗貝克
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/52;H01L23/495;B23K26/0622;B23K26/362
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 汪駿飛;侯穎媖

1.一種制造封圍一個或多個半導體晶粒的框架的方法，包含：

通過第一激光燒蝕工藝在基板中形成一個或多個特征，所述一個或多個特征包含：

一個或多個空腔，被配置為在其中封圍一個或多個半導體晶粒；和

一個或多個穿孔，延伸穿過所述基板；用電介質材料填充所述一個或多個穿孔；和

通過第二激光燒蝕工藝在填充于所述一個或多個穿孔中的每一者中的所述電介質材料中形成通孔中通孔，其中：

在所述第一激光燒蝕工藝中，基于所述一個或多個特征的深度調整照射所述基板的第一脈沖激光束的頻率、脈沖寬度和脈沖能量，并且

在所述第二激光燒蝕工藝中，基于所述通孔中通孔的深度調整照射所述電介質材料的第二脈沖激光束的頻率、脈沖寬度和脈沖能量。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述基板包含硅。

3.如權利要求2所述的方法，其中：

所述一個或多個穿孔具有50μm與200μm之間的直徑，并且

所述一個或多個穿孔中的每一個中的所述通孔中通孔具有20μm與70μm之間的直徑。

4.如權利要求3所述的方法，其中：

所述基板具有100μm與200μm之間的厚度，并且

所述第一脈沖激光束被調整以具有5kHz與100kHz之間的所述頻率、0.5mJ與4.5mJ之間的所述脈沖能量和100ns與1200ns之間的所述脈沖寬度。

5.如權利要求4所述的方法，其中：

所述第二脈沖激光束被調整以具有10kHz與1000kHz之間的所述頻率、25μJ與250μJ之間的所述脈沖能量和3ns與60ns之間的所述脈沖寬度。

6.如權利要求3所述的方法，其中：

所述基板具有500μm與1mm之間的厚度，并且

所述第一脈沖激光束被調整以具有5kHz與30kHz之間的所述頻率、2mJ與10mJ之間的所述脈沖能量和1μs與5μs之間的所述脈沖寬度。

7.如權利要求6所述的方法，其中：

所述第二脈沖激光束被調整以具有5kHz與100kHz之間的所述頻率、0.1mJ與0.4mJ之間的所述脈沖能量和3ns與60ns之間的所述脈沖寬度。

8.如權利要求2所述的方法，其中：

所述一個或多個空腔具有3mm與50mm之間的側向尺寸和50μm與200μm之間的深度，并且

所述第一脈沖激光束被調整以具有5kHz與40kHz之間的所述頻率、0.5mJ與4.5mJ之間的所述脈沖能量和15ns與600ns之間的所述脈沖寬度。

9.一種圖案化基板的方法，包含：

通過用脈沖激光束照射基板在所述基板中形成一個或多個特征；和

基于所述一個或多個特征的深度調整所述脈沖激光束的頻率、脈沖寬度和脈沖能量。

10.如權利要求9所述的方法，其中所述基板包含硅。

11.如權利要求10所述的方法，其中：

所述一個或多個特征具有50μm與200μm之間的直徑和100μm與200μm之間的深度，并且

所述脈沖激光束被調整以具有5kHz與100kHz之間的所述頻率、0.5mJ與4.5mJ之間的所述脈沖能量和100ns與1200ns之間的所述脈沖寬度。

12.如權利要求10所述的方法，其中：

所述一個或多個特征具有50μm與200μm之間的直徑和500μm與1mm之間的深度，并且

所述脈沖激光束被調整以具有5kHz與30kHz之間的所述頻率、2mJ與10mJ之間的所述脈沖能量和1μs與5μs之間的所述脈沖寬度。