[發(fā)明專利]一種降低ITO薄膜紅外吸收率的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110290390.0 | 申請日： | 2021-03-18 |
| 公開（公告）號： | CN113106405A | 公開（公告）日： | 2021-07-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 程秀蘭;李雅倩;王曉東;付學(xué)成;劉民;權(quán)雪玲 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海交通大學(xué) |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 上海漢聲知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 200240 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 降低 ito 薄膜 紅外 吸收率 方法 | ||
1.一種降低ITO薄膜紅外吸收率的方法，其特征在于，包括如下步驟：
基片清洗步驟：透明的浮法玻璃作為基底，使用丙酮在超聲的環(huán)境下進(jìn)行清洗；
ITO薄膜制備步驟：沉積ITO薄膜，設(shè)定靶材轉(zhuǎn)速、濺射功率，經(jīng)過設(shè)定時間得到ITO薄膜；
退火處理步驟：使用快速熱處理爐對制備好的ITO薄膜進(jìn)行快速熱退火處理，退火后得到最終的ITO薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低ITO薄膜紅外吸收率的方法，其特征在于，采用Denton磁控濺射設(shè)備沉積ITO薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低ITO薄膜紅外吸收率的方法，其特征在于，ITO薄膜制備步驟中，靶材轉(zhuǎn)速為3.6rpm，濺射功率為200W。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低ITO薄膜紅外吸收率的方法，其特征在于，ITO薄膜制備步驟中，經(jīng)過583s得到300nm的ITO薄膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低ITO薄膜紅外吸收率的方法，其特征在于，還包括光學(xué)性能測試步驟：使用Lamda950紫外可見近紅外分光光度計測試薄膜的吸收率、透射率、反射率，實(shí)驗(yàn)設(shè)置的測量范圍是400-1800nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低ITO薄膜紅外吸收率的方法，其特征在于，還包括電學(xué)性能測試步驟：使用半導(dǎo)體參數(shù)測試儀對ITO薄膜進(jìn)行I-V測試。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的降低ITO薄膜紅外吸收率的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體參數(shù)測試儀包括Aglient BA1500設(shè)備。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低ITO薄膜紅外吸收率的方法，其特征在于，快速熱處理爐包括RTP-CT150M設(shè)備。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低ITO薄膜紅外吸收率的方法，其特征在于，退火處理步驟中，退火溫度為300-500℃，退火時間為5分鐘。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低ITO薄膜紅外吸收率的方法，其特征在于，退火處理步驟中，退火氛圍為空氣。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
