[發(fā)明專利]一種用于間接冷卻超導(dǎo)磁體的裝置系統(tǒng)及間接冷卻超導(dǎo)磁體的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110289995.8 | 申請(qǐng)日: | 2021-03-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113053614B | 公開(公告)日: | 2022-12-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王旭東;倪東升;王力實(shí);喬威宇;秦祥琦;程月;朱麗 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院近代物理研究所 |
| 主分類號(hào): | H01F6/02 | 分類號(hào): | H01F6/02;H01F6/04 |
| 代理公司: | 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245 | 代理人: | 關(guān)暢 |
| 地址: | 730000 甘*** | 國(guó)省代碼: | 甘肅;62 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 間接 冷卻 超導(dǎo) 磁體 裝置 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種采用用于間接冷卻超導(dǎo)磁體的裝置系統(tǒng)進(jìn)行間接冷卻超導(dǎo)磁體的方法,其特征在于:
所述用于間接冷卻超導(dǎo)磁體的裝置系統(tǒng)包括用于間接冷卻超導(dǎo)磁體的筒體和杜瓦;
所述用于間接冷卻超導(dǎo)磁體的筒體包括筒體本體,所述筒體本體表面布置液氮盤管;所述液氮盤管一端設(shè)置液氮入口,另一端設(shè)置液氮出口;
所述的用于間接冷卻超導(dǎo)磁體的筒體設(shè)置于所述杜瓦的內(nèi)部空間,且所述液氮入口和所述液氮出口均通過(guò)設(shè)置于所述杜瓦的頂法蘭的轉(zhuǎn)接口與外部液氮管路相連接;
所述杜瓦的內(nèi)部空間分別通過(guò)管道連接真空泵和回收氣囊,且與所述真空泵連接的管道上設(shè)置真空角閥,與所述回收氣囊連接的管道上設(shè)置氦氣閥門;
通過(guò)在所述的用于間接冷卻超導(dǎo)磁體的筒體的四周設(shè)置折邊或吊耳將其懸掛至所述杜瓦的頂法蘭上;
所述方法包括如下步驟:
1)將所述的用于間接冷卻超導(dǎo)磁體的筒體中,然后將所述超導(dǎo)磁體和所述的用于間接冷卻超導(dǎo)磁體的筒體置于所述杜瓦的內(nèi)部空間中;
2)將步驟1)中所述杜瓦的內(nèi)部空間通過(guò)所述真空泵抽真空,關(guān)閉所述真空角閥;
3)將液氮通過(guò)所述液氮入口通入所述液氮盤管中,觀察所述杜瓦的內(nèi)部空間中壓力上升狀況,確保整體密封性;
4)打開連接所述回收氣囊的所述氦氣閥門,使所述杜瓦內(nèi)部空間為微正壓,對(duì)所述的用于間接冷卻超導(dǎo)磁體進(jìn)行液氮間接冷卻,冷量通過(guò)輻射傳熱以及所述杜瓦的內(nèi)部空間中的氦氣對(duì)流傳熱將所述超導(dǎo)磁體冷卻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于間接冷卻超導(dǎo)磁體的裝置系統(tǒng)進(jìn)行間接冷卻超導(dǎo)磁體的方法,其特征在于:步驟4)中,所述冷卻至溫度均為80K。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于間接冷卻超導(dǎo)磁體的裝置系統(tǒng)進(jìn)行間接冷卻超導(dǎo)磁體的方法,其特征在于:所述筒體的材料為銅和/或鋁。
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