[發(fā)明專利]鈷氧化物基磁性氧化物薄膜及其制備方法和應(yīng)用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110289382.4 | 申請日： | 2021-03-18 |
| 公開（公告）號： | CN113061990A | 公開（公告）日： | 2021-07-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 金奎娟;郭爾佳;金橋;林珊;陳爽;陳盛如;祁明群 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院物理研究所 |
| 主分類號： | C30B29/68 | 分類號： | C30B29/68;C30B29/22;C30B23/02 |
| 代理公司： | 北京泛華偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭廣迅;趙巖 |
| 地址： | 100190 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氧化物 磁性 薄膜 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種鈷氧化物基磁性氧化物薄膜，該磁性氧化物薄膜由第一材料層和第二材料層交替生長而成的超晶格結(jié)構(gòu)組成，其中，所述第一材料層為LaCoO3，所述第二材料層為SrCuO2。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性氧化物薄膜，其中，所述第一材料層的厚度為0.4～10nm，優(yōu)選為0.4～5nm，更優(yōu)選為0.4～1nm；所述第二材料層的厚度為0.4～10nm，優(yōu)選為0.4～5nm，更優(yōu)選為0.4～1nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁性氧化物薄膜，其中，所述磁性氧化物薄膜生長于單晶襯底上，優(yōu)選地，所述單晶襯底選自鈦酸鍶、鑭鍶鋁鉭氧、鋁酸鑭、鎵酸釹和鈧酸鏑中的一種。
4.權(quán)利要求1至3中任一項所述的磁性氧化物薄膜的制備方法，所述制備方法包括：以塊狀LaCoO3和SrCuO2作為靶材，利用脈沖激光沉積技術(shù)在單晶襯底上交替沉積LaCoO3和SrCuO2形成由LaCoO3層和SrCuO2層構(gòu)成的超晶格結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其中，所述沉積的溫度為500～800℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其中，沉積過程中的氧分壓為0.001～1Torr。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其中，脈沖激光沉積的激光能量密度為0.5～3J/cm2，優(yōu)選地，脈沖激光沉積的激光頻率為2～10Hz。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其中，沉積過程中的升溫和降溫速率分別為5～20℃/min；優(yōu)選地，升溫和降溫過程中的氧分壓為0.001～1Torr。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其中，通過激光脈沖數(shù)及生長過程中的氧分壓控制所述超晶格結(jié)構(gòu)中LaCoO3及SrCuO2層的厚度。
10.權(quán)利要求1至3中任一項所述的磁性氧化物薄膜在光泵浦和電流驅(qū)動的超薄自旋軌道轉(zhuǎn)矩器件中的應(yīng)用。
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