[發明專利]一種微波鐵氧體隔離器基板的制作方法

在審

• 申請號: 202110288883.0
• 申請日: 2021-03-18
• 公開（公告）號: CN113097684A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 徐緩;王強;張長明;鄒冠生;周大偉;張貴華
• 申請（專利權）人: 深圳市博敏電子有限公司
• 主分類號: H01P11/00
• 分類號: H01P11/00;C23C14/35;C23C14/18;C23C14/04
• 代理公司: 北京惠智天成知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11681
• 代理人: 徐錢芳

1.一種微波鐵氧體隔離器基板的制作方法，其特征在于，包括：

磁控濺射鎳鉻鐵合金靶材在鐵氧體基片表面沉積形成打底層復合膜。

2.如權利要求1所述的微波鐵氧體隔離器基板的制作方法，其特征在于，在磁控濺射鎳鉻鐵合金靶材在鐵氧體基片表面沉積形成打底層復合膜步驟之前，包括：

按照質量比Ni:Cr:Fe=67:21:12制作鎳鉻鐵合金靶材；

以內圓切割的方式，將鐵氧體胚胎切成相應厚度的鐵氧體基片，然后通過金剛石磨料對鐵氧體基片進行精密拋光加工，接著以純水為介質進行水拋以及采用掃頻式復頻超聲波清洗；

磁控濺射氮化鉭靶材在鐵氧體基片表面沉積隔離電阻氮化鉭薄膜，形成方阻阻值為48-50Ω/sq的隔離電阻。

3.如權利要求2所述的微波鐵氧體隔離器基板的制作方法，其特征在于，在磁控濺射氮化鉭靶材在鐵氧體基片表面沉積隔離電阻氮化鉭薄膜的同時，包括：

在鐵氧體基片的四個角落生成直徑為0.5mm、真圓度達100%的氮化鉭圓Pad作為定位，然后從鐵氧體基片正面多次激光重復加工，形成直徑為0.2mm，深度為0.4mm的通孔。

4.如權利要求2所述的微波鐵氧體隔離器基板的制作方法，其特征在于，所述磁控濺射氮化鉭靶材在鐵氧體基片表面沉積隔離電阻氮化鉭薄膜中的磁控濺射工藝參數為：N₂:Ar=2:50，濺射功率300W，濺射時間15min，得到方阻阻值為48-50Ω/sq的隔離電阻。

5.如權利要求1所述的微波鐵氧體隔離器基板的制作方法，其特征在于，磁控濺射鎳鉻鐵合金靶材在鐵氧體基片表面沉積形成復合膜的磁控濺射工藝參數為：在6.0×10^-4Pa真空度下，將鐵氧體基片預熱至180℃，氬氣流量控制35SCCM，靶材濺射功率控制300W。

6.如權利要求1所述的微波鐵氧體隔離器基板的制作方法，其特征在于，在磁控濺射鎳鉻鐵合金靶材在鐵氧體基片表面沉積形成打底層復合膜步驟之后，包括：

磁控濺射銅靶材，在鐵氧體基片的打底層復合膜上形成一層銅膜，然后對鐵氧體基片進行電鍍銅，以使所述銅膜加厚到隔離器基板所需厚度。

7.如權利要求6所述的微波鐵氧體隔離器基板的制作方法，其特征在于，磁控濺射銅靶材，在鐵氧體基片的打底層復合膜上形成一層銅膜，然后對鐵氧體基片進行電鍍銅，以使所述銅膜加厚到隔離器基板所需厚度之后，包括：

圖形轉移，酸性蝕刻，電鍍厚金制作，成型制作。

8.如權利要求7所述的微波鐵氧體隔離器基板的制作方法，其特征在于，

所述圖形轉移包括：對銅膜加厚到所需厚度的鐵氧體基片進行光刻圖形轉移，通過靜態滴膠、高速旋轉分散的方式，調節光刻膠的滴膠量和轉速，對圖形做動態蝕刻補償設計。

9.如權利要求8所述的微波鐵氧體隔離器基板的制作方法，其特征在于，

所述酸性蝕刻包括：采用濕法蝕刻工藝，利用化學腐蝕的方式將未做光刻膠保護的區域進行真空蝕刻，刻蝕銅層的同時將打底層的復合膜腐蝕掉。

10.如權利要求9所述的微波鐵氧體隔離器基板的制作方法，其特征在于，所述電鍍厚金制作包括：刻蝕線路后利用線路之間設計的引線制作導通的網格，將線路五面金包邊，然后再以激光蝕刻的方式去除鍍金引線。