[發明專利]一種Co3 有效
| 申請號: | 202110288484.4 | 申請日: | 2021-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN113077992B | 公開(公告)日: | 2022-11-01 |
| 發明(設計)人: | 委福祥;舒鐵;隋艷偉;戚繼球;何業增;孟慶坤 | 申請(專利權)人: | 中國礦業大學 |
| 主分類號: | H01G11/26 | 分類號: | H01G11/26;H01G11/36;H01G11/46;H01G11/86 |
| 代理公司: | 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 陳國強 |
| 地址: | 221008 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 co base sub | ||
1.一種Co3O4 納米顆粒/多孔碳交聯納米片陣列復合電極的制備方法,其特征在于:包括以下步驟:
步驟1,制備片狀ZIF-67前驅體:將碳布置于高錳酸鉀溶液中超聲處理,然后將碳布取出,并清洗;將六水合硝酸鈷溶解到去離子水中,經過磁力攪拌得到溶液A;將2-甲基咪唑溶解到去離子水中,經磁力攪拌得到澄清溶液B;然后將清洗好的碳布放入溶液B中進行超聲處理;隨后將溶液A倒入含有碳布的溶液B中,靜置,然后取出碳布,在真空環境下干燥,得到生長在碳布表面的片狀ZIF-67前驅體;其中,高錳酸鉀濃度為0.5 mol L-1;六水合硝酸鈷和2-甲基咪唑的摩爾比為1:4-8;碳布從高錳酸鉀溶液中取出后,用離子水和乙醇將處理后的碳布反復清洗;靜置時間為8小時,干燥溫度為70℃,干燥時間為12小時;
步驟2,制備Co3O4納米顆粒/多孔碳交聯納米片陣列復合材料:將步驟1中得到的前驅體連同碳布放入管式爐,在保護氣氛圍下進行熱處理并保溫,隨后隨室溫冷卻;其中,保護氣為氬氣,熱處理溫度為450-600℃,升溫速率為3℃ min-1;
步驟3,撤除保護氣,在空氣中再次進行熱處理并保溫,最后將碳布取出,得到Co3O4納米顆粒/多孔碳交聯納米片陣列復合電極;其中,熱處理溫度為300-400℃,升溫速率為2℃min-1。
2.一種由權利要求1所述的方法制備的Co3O4 納米顆粒/多孔碳交聯納米片陣列復合電極。
3.權利要求2所述的Co3O4 納米顆粒/多孔碳交聯納米片陣列復合電極在超級電容器中的用途。
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