[發(fā)明專(zhuān)利]一種NiPt15合金的肖特基二極管及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110287682.9 | 申請(qǐng)日: | 2021-03-17 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113054007A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-06-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 何靜博;尚春林;侯斌;齊易晨;胡長(zhǎng)青 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 西安微電子技術(shù)研究所 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L29/47 | 分類(lèi)號(hào): | H01L29/47;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司: | 西安通大專(zhuān)利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人: | 王艾華 |
| 地址: | 710065 陜西*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 nipt15 合金 肖特基 二極管 及其 制備 方法 | ||
1.一種NiPt15合金的肖特基二極管制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1,在襯底(1)上制備外延層(2);
步驟2,在外延層(2)上制備P+環(huán)(3)和接觸孔區(qū)(13);
步驟3,在多靶磁控濺射設(shè)備濺射N(xiāo)iPt15金屬層,然后將濺射后的芯片放置在LPCVD設(shè)備中,加熱使得NiPt15金屬層中的NiPt15金屬滲入至外延層(2)中形成肖特基勢(shì)壘層(5);剝離肖特基勢(shì)壘層(5)上的NiPt15金屬層,使得肖特基勢(shì)壘層(5)裸露;濺射過(guò)程中的靶材為NiPt15合金,所述NiPt15合金中鉑含量為85%,鎳含量為15%;
步驟4,在肖特基勢(shì)壘層(5)上制備鋁合金層(6);
步驟5,制備正極導(dǎo)電層;
步驟6,制備負(fù)極導(dǎo)電層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種NiPt15合金的肖特基二極管制備方法,其特征在于,步驟2中,通過(guò)在襯底(1)上依次進(jìn)行氧化、光刻、刻蝕、硼注入及光刻和退火后形成P+環(huán)(3)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種NiPt15合金的肖特基二極管制備方法,其特征在于,步驟3中,在濺射N(xiāo)IPT15金屬層以前,采用濃硫酸和雙氧水的混合溶液,以及氫氟酸和水的混合溶液清洗外延層(2)的上表面;
多靶磁控濺射設(shè)備在濺射N(xiāo)IPT15金屬層以前,淀積室提前預(yù)抽真空。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種NiPt15合金的肖特基二極管制備方法,其特征在于,步驟3中,濺射功率為2~50KW,濺射真空度為(3~50)×10-3mbar,濺射N(xiāo)IPT15合金層的厚度為30~300nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種NiPt15合金的肖特基二極管制備方法,其特征在于,步驟3中,在LPVVD設(shè)備中加熱溫度為400~650℃,加熱時(shí)間為5~40min,加熱過(guò)程中采用N2保護(hù),N2流量為5~20L/min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種NiPt15合金的肖特基二極管制備方法,其特征在于,步驟3中,通過(guò)王水去除NIPT15合金層。
7.一種通過(guò)權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)制備方法制得的NiPt15合金的肖特基二極管,其特征在于,包括襯底(1),襯底(1)上附著有外延層(2),外延層(2)的上表面內(nèi)部設(shè)置有P+環(huán)(3),外延層2的上表面內(nèi)部設(shè)置有肖特基勢(shì)壘層(5),肖特基勢(shì)壘層(5)被P+環(huán)(3)圍繞;
所述外延層(2)上設(shè)置有氧化層(4),氧化層(4)上設(shè)置有鋁合金層(6),鋁合金層(6)上設(shè)置有正極導(dǎo)電層;
所述襯底(1)的下部設(shè)置有負(fù)極導(dǎo)電層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種NiPt15合金的肖特基二極管,其特征在于,所述襯底(1)為N型重?fù)诫s半導(dǎo)體,所述襯底(1)的電阻率范圍為0.01~0.1Ω·cm,所述襯底(1)的厚度為150~450μm;
所述外延層(2)為N型輕摻雜半導(dǎo)體,所述外延層(2)的電阻率范圍為1~15Ω·cm,所述外延層(2)的厚度為10~50μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種NiPt15合金的肖特基二極管,其特征在于,所述正極導(dǎo)電層從下到上依次包括正極第一導(dǎo)電層(7)、正極第二導(dǎo)電層(8)和正極第三導(dǎo)電層(9);所述正極第一導(dǎo)電層(7)的材料為鈦,所述正極第二導(dǎo)電層(8)的材料為鎳,所述正極第三導(dǎo)電層(9)的材料為銀;
所述負(fù)極導(dǎo)電層從上到下依次包括負(fù)極第一導(dǎo)電層(10),負(fù)極第二導(dǎo)電層(11)和負(fù)極第三導(dǎo)電層(12),所述負(fù)極第一導(dǎo)電層(10)的材料為鉻,負(fù)極第二導(dǎo)電層(11)的材料為鎳(11),負(fù)極第三導(dǎo)電層(12)的材料為金。
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