[發明專利]一種高純鋁或鋁合金靶材及其制備方法和用途

有效

• 申請號: 202110287181.0
• 申請日: 2021-03-17
• 公開（公告）號: CN113061853B
• 公開（公告）日: 2023-02-24
• 發明（設計）人: 姚力軍;邊逸軍;潘杰;王學澤;李小萍
• 申請（專利權）人: 寧波江豐電子材料股份有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C22F1/04
• 代理公司: 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659
• 代理人: 王巖

1.一種用于液晶領域高純鋁或鋁合金靶材的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：

(1)通過切斷得到尺寸為(290～295mm)×(245～250mm)×(245～250mm)的鋁或鋁合金靶材坯料；將得到的鋁或鋁合金靶材坯料在140～160℃的溫度下預熱10～15min，然后進行鍛伸，鍛伸后的鋁或鋁合金靶材坯料的尺寸為(198～202mm)×(298～302mm)×(298～302mm)；

(2)在345～355℃的條件下進行一次熱處理，時間為58～62min；

(3)在140～160℃的溫度下預熱10～15min，然后進行鍛造，鍛造后的鋁或鋁合金靶材坯料的尺寸為(765～770mm)×(188～192mm)×(120～125mm)；

(4)在290～310℃的條件下進行二次熱處理，時間為58～62min；

(5)進行至少3次的軋制，軋制后整平，所述整平后的彎曲度不大于1mm；

(6)在245～255℃的條件下進行三次熱處理，時間為13～17min，得到高純鋁或鋁合金靶材。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述軋制后的溫度為室溫。

3.一種如權利要求1或2所述的制備方法制備得到的高純鋁或鋁合金靶材，其特征在于，所述高純鋁或鋁合金靶材的純度為5N～5N5。

4.根據權利要求3所述的高純鋁或鋁合金靶材，其特征在于，所述高純鋁或鋁合金靶材的最大晶粒尺寸不超過200μm。