[發(fā)明專利]顯示面板及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110287005.7 | 申請(qǐng)日: | 2021-03-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113113452A | 公開(公告)日: | 2021-07-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 徐世俊 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 及其 制備 方法 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括基板和陣列設(shè)置在所述基板上的像素單元,所述像素單元包括第一發(fā)光子單元和第二發(fā)光子單元;
所述第一發(fā)光子單元包括第一發(fā)光電極,所述第二發(fā)光子單元包括第二發(fā)光電極;
所述第一發(fā)光電極上設(shè)置有電極平坦層,所述第二發(fā)光電極設(shè)置在所述電極平坦層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述像素單元還包括:
薄膜晶體管膜層組,設(shè)置在所述基板上,所述薄膜晶體管膜層組包括有源層、柵極絕緣層、第一金屬層、層間絕緣層和第二金屬層;
晶體管平坦層,設(shè)置在所述第二金屬層上;
在所述第一發(fā)光子單元中,所述晶體管平坦層對(duì)應(yīng)所述第二金屬層開設(shè)有第一電極連接通道,所述第一發(fā)光電極設(shè)置在所述晶體管平坦層上,所述第一發(fā)光電極通過所述第一電極連接通道與所述第二金屬層電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述像素單元還包括:
薄膜晶體管膜層組,設(shè)置在所述基板上,所述薄膜晶體管膜層組包括有源層、柵極絕緣層、第一金屬層、層間絕緣層和第二金屬層,在所述第二發(fā)光子單元中,所述電極平坦層對(duì)應(yīng)所述第二金屬層開設(shè)有第二電極連接通道,所述第二發(fā)光電極通過所述第二電極連接通道與所述第二金屬層電連接;
所述電極平坦層包括第一子平坦層和第二子平坦層;所述第一子平坦層設(shè)置在所述第一發(fā)光電極上,所述第二子平坦層設(shè)置在所述第一子平坦層上;所述第一子平坦層上開設(shè)有與所述第二金屬層對(duì)應(yīng)的第一過孔,所述第二子平坦層上開設(shè)有與所述第一過孔對(duì)應(yīng)的第二過孔;所述第二電極連接通道包括所述第一過孔和所述第二過孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述第二金屬層包括源極和漏極,所述晶體管平坦層包括第三子平坦層和第四子平坦層;
所述第三子平坦層設(shè)置在所述第二金屬層上,所述第三子平坦層上開設(shè)有與所述源極或所述漏極相對(duì)應(yīng)的第三過孔;所述第四子平坦層設(shè)置在所述第三子平坦層上,所述第四子平坦層上開設(shè)有與所述第三過孔相對(duì)應(yīng)的第四過孔;
所述第一電極連接通道包括所述第三過孔和所述第四過孔,所述第一發(fā)光電極通過所述第三過孔和所述第四過孔與所述源極或所述漏極電連接;所述第二電極連接通道還包括所述第三過孔和所述第四過孔,所述第二發(fā)光電極通過所述第一過孔、所述第二過孔、所述第三過孔和所述第四過孔與所述源極或所述漏極電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,在所述顯示面板的厚度方向上,所述第一發(fā)光電極與所述第二發(fā)光電極之間的距離在1μm至3μm之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,包括顯示區(qū)和非顯示區(qū),所述顯示區(qū)包括第一顯示區(qū)和第二顯示區(qū),所述第一顯示區(qū)的下方設(shè)置有攝像頭,所述第一顯示區(qū)上設(shè)置有所述像素單元。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述第二顯示區(qū)上設(shè)置有所述像素單元,所述像素單元在所述第一顯示區(qū)和所述第二顯示區(qū)上均勻分布。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第二發(fā)光電極上設(shè)置有第三平坦層,所述像素單元還包括第三發(fā)光子單元,所述第三發(fā)光子單元包括第三發(fā)光電極,所述第三發(fā)光電極設(shè)置在所述第三平坦層上;
所述第一發(fā)光子單元發(fā)出的光隨視角增大的亮度衰減速度大于所述第二發(fā)光子單元發(fā)出的光隨視角增大的亮度衰減速度,所述第二發(fā)光子單元發(fā)出的光隨視角增大的亮度衰減速度大于所述第三發(fā)光子單元發(fā)出的光隨視角增大的亮度衰減速度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第一發(fā)光子單元發(fā)出的光為藍(lán)光,所述第二發(fā)光子單元發(fā)出的光為紅光或綠光。
10.一種顯示面板的制備方法,其特征在于,包括:
B1、提供一基板,在所述基板上設(shè)置緩沖層和薄膜晶體管膜層組,所述薄膜晶體管膜層組包括有源層、柵極絕緣層、第一金屬層、層間絕緣層和第二金屬層;
所述顯示面板包括陣列設(shè)置在所述基板上的像素單元,所述像素單元包括第一發(fā)光子單元和第二發(fā)光子單元;
B2、在所述第二金屬層上設(shè)置第三子平坦層,所述第二金屬層包括源極或漏極,對(duì)所述第三子平坦層進(jìn)行圖案化工藝形成與所述漏極相對(duì)應(yīng)的第三過孔;在所述第三子平坦層上設(shè)置第三輔助電極,所述第三輔助電極通過所述第三過孔與所述漏極連接;
B3、在所述第三輔助電極的上方設(shè)置第四子平坦層,對(duì)所述第四子平坦層進(jìn)行圖案化制程以形成與所述第三過孔相對(duì)應(yīng)的第四過孔,在所述第四子平坦層上設(shè)置第一發(fā)光電極和第二輔助電極,所述晶體管平坦層包括所述第三子平坦層和所述第四子平坦層;在所述第一發(fā)光子單元中,所述第一發(fā)光電極通過第一電極連接通道與所述漏極電連接,所述第一發(fā)光電極通道包括所述第三過孔和所述第四過孔;
B4、在所述第一發(fā)光電極和所述第二輔助電極上設(shè)置第一子平坦層,對(duì)所述第一子平坦層進(jìn)行圖案化制程以形成第一過孔和第一通孔,所述第一過孔與所述第二輔助電極相對(duì)應(yīng),所述第一過孔沿厚度方向貫穿所述第一子平坦層延伸至所述第二輔助電極的表面;所述第一通孔與所述第一發(fā)光電極相對(duì)應(yīng),所述第一通孔沿厚度方向貫穿所述第一子平坦層延伸至所述第一發(fā)光電極的表面并裸露出所述第一發(fā)光電極;
在所述第二發(fā)光子單元中的所述第一子平坦層上設(shè)置第一輔助電極,所述第一輔助電極通過所述第一過孔與所述第二輔助電極連接;
B5、在所述第二發(fā)光子單元中的所述第一輔助電極上設(shè)置第二子平坦層,對(duì)所述第二子平坦層進(jìn)行圖案化制程以形成與第二過孔,在對(duì)所述第二子平坦層進(jìn)行圖案化制程的過程中沿朝向所述第二子平坦層的方向延展所述第一通孔,所述第二過孔與所述第一過孔相對(duì)應(yīng),所述第二過孔沿厚度方向貫穿所述第二子平坦層延伸至所述第一輔助電極的表面;
所述電極平坦層包括所述第一子平坦層和所述第二子平坦層;在所述第二子平坦層上設(shè)置所述第二發(fā)光電極,所述第二發(fā)光電極通過第二電極連接通道與所述第二發(fā)光子單元中的所述漏極電連接,所述第二電極連接通道包括第一過孔、第二過孔、第三過孔以及第四過孔;
B6、在所述第二發(fā)光電極上設(shè)置像素定義層,對(duì)所述像素定義層進(jìn)行圖案化制程以形成第二通孔,在對(duì)所述像素定義層進(jìn)行圖案化制程的過程中沿朝向所述像素定義層的方向延展所述第一通孔,所述第一通孔貫穿所述像素定義層以及所述電極平坦層延伸至所述第一發(fā)光電極的表面;所述第二通孔與所述第二發(fā)光電極相對(duì)應(yīng),所述第二通孔貫穿所述像素定義層以裸露出所述第二發(fā)光電極。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





