[發明專利]陣列基板、陣列基板的制備方法及顯示面板

在審

• 申請號: 202110286725.1
• 申請日: 2021-03-17
• 公開（公告）號: CN113097224A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 李陽;李偉華;孫劍秋;李勃
• 申請（專利權）人: 合肥維信諾科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G09G3/32
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 娜拉

本申請實施例提供一種陣列基板、陣列基板的制備方法及顯示面板。本申請實施例第一方面中的陣列基板包括薄膜晶體管，薄膜晶體管包括有源結構和柵極。有源結構包括在與陣列基板厚度方向相垂直的平面共面設置的源區、漏區、溝道區和緩沖區，溝道區位于源區和漏區之間且通過緩沖區與源區和漏區中至少一者相鄰設置。柵極與有源結構層疊且通過第一絕緣層絕緣設置，柵極包括層疊設置的內縮部和遮蓋部。源區、溝道區以及漏區的排序方向構成第一排序方向，在第一排序方向上，遮蓋部在有源結構上的第一正投影覆蓋溝道區和緩沖區，內縮部在有源結構上的第二正投影覆蓋溝道區。保證有源結構中半導體區域穩定性及可靠性。

技術領域

本發明涉及半導體設備技術領域，尤其涉及一種陣列基板、陣列基板的制造方法及顯示面板。

背景技術

薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)是顯示面板重要的組成部分，通常作為開光裝置和驅動裝置用在例如LCD、OLED等顯示面板上。

薄膜晶體管中的有源機構包括導體化的源區以及漏區，還包括半導體化的溝道區。但是在顯示面板的長期使用過程中，溝道區逐漸導體化最終使得薄膜晶體管器件失效，影響顯示面板的應用以及壽命。

因此，急需一種陣列基板、陣列基板的制備方法及顯示面板。

發明內容

本申請實施例第一方面一種陣列基板，陣列基板包括薄膜晶體管，薄膜晶體管包括：

有源結構，包括在與陣列基板厚度方向相垂直的平面共面設置的源區、漏區、溝道區和緩沖區，溝道區位于源區和漏區之間且通過緩沖區與源區和漏區中至少一者相鄰設置；

柵極，與有源結構層疊且通過第一絕緣層絕緣設置，柵極包括層疊設置的內縮部和遮蓋部；

其中，源區、溝道區以及漏區的排序方向構成第一排序方向，在第一排序方向上，遮蓋部在有源結構上的第一正投影覆蓋溝道區和緩沖區，內縮部在有源結構上的第二正投影覆蓋溝道區。

本申請實施例第一方面提供的陣列基板，通過柵極中層疊設置的內縮部和遮蓋部使得溝道區通過緩沖區與源區和漏區中至少一者相鄰設置，緩沖區避免了陣列基板長期使用過程中源區和/或漏區中的離子和/或其他導電粒子擴散到溝道區，也避免了溝道區在源區、溝道區以及漏區的第一排序方向上寬度的逐漸減少，維持溝道區的寬度。避免了因離子和/或其他導電粒子的擴散使得溝道區由半導體屬性轉為導體屬性，進而維持了有源結構中半導體區域穩定性，也進一步保證了薄膜晶體管在長期使用中的有效性，最終提升陣列基板以及包括陣列基板的終端器件(例如顯示面板)的可靠性以及使用壽命。

在本申請實施例第一方面中一種可能的實施方式，在第一排序方向上，第二正投影位于第一正投影內部；

優選的，在第一排序方向上，第二正投影的邊緣至第一正投影的邊緣的最小距離取值范圍為0.1μm～1μm。

在本申請實施例第一方面中一種可能的實施方式，在與有源結構相平行的第一平面內第一排序方向與第一方向共面且相互垂直，在第一方向上，第一正投影與第二正投影均覆蓋有源結構，第二正投影與第一正投影重合，或者，第二正投影位于第一正投影內部。

在本申請實施例第一方面中一種可能的實施方式，在與有源結構相平行的第一平面內第一排序方向與第一方向共面且相互垂直，在第一方向上，第一正投影與第二正投影均覆蓋有源結構，第一正投影位于第二正投影內部。

在本申請實施例第一方面中一種可能的實施方式，源區和漏區的電阻率小于緩沖區的電阻率，且緩沖區的電阻率小于溝道區的電阻率。

在本申請實施例第一方面中一種可能的實施方式，在第一排序方向上，內縮部的最大尺寸大于或等于遮蓋部的最小尺寸，且內縮部的最大尺寸小于遮蓋部的最大尺寸；或者，

在第一排序方向上，內縮部的最大尺寸小于遮蓋部的最小尺寸。