[發(fā)明專利]多晶硅還原爐的底盤、底盤組件以及還原爐有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110286578.8 | 申請(qǐng)日： | 2021-03-17 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN112960674B | 公開(kāi)（公告）日： | 2022-11-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 石何武;汪紹芬;石濤;楊永亮;嚴(yán)大洲 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)恩菲工程技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C01B33/035 | 分類號(hào)： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 杜德海 |
| 地址： | 100038*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多晶 還原 底盤 組件 以及 | ||
1.一種用于多晶硅還原爐的底盤，其特征在于，包括：
盤體，所述盤體具有多個(gè)進(jìn)氣口組和多個(gè)還原尾氣出口組，每個(gè)所述進(jìn)氣口組包括至少一個(gè)進(jìn)氣口，每個(gè)所述還原尾氣出口組包括沿所述盤體的周向間隔開(kāi)的多個(gè)所述還原尾氣出口，其中多個(gè)所述進(jìn)氣口組沿所述盤體的徑向間隔開(kāi)地設(shè)置，多個(gè)所述還原尾氣出口組沿所述盤體的徑向間隔開(kāi)地設(shè)置，所述盤體還具有中心進(jìn)氣口；和
多個(gè)電極基座組，多個(gè)所述電極基座組沿所述盤體的徑向間隔開(kāi)地設(shè)在所述盤體上，每個(gè)所述電極基座組包括沿所述盤體的周向間隔開(kāi)的多個(gè)電極基座，其中多個(gè)所述電極基座組和多個(gè)所述進(jìn)氣口組沿所述盤體的徑向交替設(shè)置，一個(gè)所述還原尾氣出口組位于多個(gè)所述電極基座組的外側(cè)，其余的每個(gè)所述還原尾氣出口組在所述盤體的徑向上位于相鄰兩個(gè)所述電極基座組之間，位于所述電極基座組的外側(cè)的所述還原尾氣出口組的多個(gè)所述還原尾氣出口在底盤的徑向上兩兩相對(duì)，所述中心進(jìn)氣口位于最內(nèi)側(cè)的所述電極基座組的內(nèi)側(cè)，最外側(cè)的所述電極基座組位于最外層的所述進(jìn)氣口組的外側(cè)，最內(nèi)側(cè)的所述電極基座組位于最內(nèi)側(cè)的所述進(jìn)氣口組的內(nèi)側(cè)；
一個(gè)所述進(jìn)氣口組和一個(gè)所述尾氣出口組位于第一圓周上，所述第一圓周上的所述進(jìn)氣口組的多個(gè)所述進(jìn)氣口和所述還原尾氣出口組的多個(gè)所述還原尾氣出口在所述第一圓周上交替設(shè)置，所述第一圓周的周向與所述底盤的周向一致；所述第一圓周上的多個(gè)所述進(jìn)氣口和多個(gè)所述還原尾氣出口構(gòu)成多個(gè)進(jìn)氣出氣組，多個(gè)所述進(jìn)氣出氣組在所述底盤的徑向上兩兩相對(duì)，每個(gè)所述進(jìn)氣出氣組包括兩個(gè)所述進(jìn)氣口和一個(gè)所述還原尾氣出口，每個(gè)所述進(jìn)氣出氣組的所述還原尾氣出口在所述第一圓周的周向上位于相應(yīng)的所述進(jìn)氣出氣組的兩個(gè)所述進(jìn)氣口之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述用于多晶硅還原爐的底盤，其特征在于，每個(gè)所述電極基座組的多個(gè)所述電極基座在所述底盤的周向上等間距地設(shè)置，每個(gè)所述電極基座組的相鄰兩個(gè)所述電極基座在所述底盤的周向上的間距為210mm-240mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1-2任一項(xiàng)所述用于多晶硅還原爐的底盤，其特征在于，所述進(jìn)氣口組為4個(gè)，所述還原尾氣出口組為2個(gè)，所述電極基座組為5個(gè)，一個(gè)所述還原尾氣出口組與從內(nèi)向外的第三個(gè)所述進(jìn)氣口組位于第一圓周上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-2任一項(xiàng)所述用于多晶硅還原爐的底盤，其特征在于，從內(nèi)向外，5個(gè)所述電極基座組分別包括8個(gè)所述電極基座、16個(gè)所述電極基座、24個(gè)所述電極基座、32個(gè)所述電極基座、40個(gè)所述電極基座；
4個(gè)所述進(jìn)氣口組分別包括4個(gè)所述進(jìn)氣口、4個(gè)所述進(jìn)氣口、8個(gè)所述進(jìn)氣口，12個(gè)所述進(jìn)氣口；
2個(gè)所述還原尾氣出口組分別包括3-4個(gè)所述還原尾氣出口、6-8個(gè)所述還原尾氣出口。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述用于多晶硅還原爐的底盤，其特征在于，所述底盤包括第一盤體和第二盤體，所述第一盤體設(shè)在所述第二盤體上，所述第一盤體與所述第二盤體之間限定出冷卻腔，所述第一盤體具有多個(gè)所述進(jìn)氣口組和多個(gè)所述還原尾氣出口組。
6.一種底盤組件，其特征在于，包括：上述權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述底盤和多個(gè)電極，多個(gè)所述電極一一對(duì)應(yīng)地設(shè)在所述底盤的多個(gè)所述電極基座下方。
7.一種還原爐，其特征在于，包括：爐體和上述權(quán)利要求6所述底盤組件，所述爐體設(shè)在所述底盤組件的所述底盤上。
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