[發(fā)明專利]一種R-T-B磁體及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110286519.0
• 申請日: 2021-03-17
• 公開（公告）號: CN112992460B
• 公開（公告）日: 2023-04-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 牟維國;黃佳瑩
• 申請（專利權(quán)）人: 福建省長汀金龍稀土有限公司
• 主分類號: H01F1/057
• 分類號: H01F1/057;H01F1/055;H01F41/02
• 代理公司: 上海弼興律師事務(wù)所 31283
• 代理人: 王衛(wèi)彬;鄒玲

1.一種R-T-B磁體，其特征在于，其包括以下組分：R：≥29wt.%，所述R為稀土元素，所述R含有Nd；

所述Nd≥22wt.%；

Ti+Nb：0.2~0.75wt.%；

Cu：0.05~0.45wt.%；

B：0.955~1.15wt.%；

Fe：58~69wt.%；wt.%為各組分的質(zhì)量與各組分總質(zhì)量的比；所述Ti與所述Nb的質(zhì)量比為（1~5）：1；

所述R包括重稀土元素RH，所述RH的含量在2.5wt%以下，所述RH為Tb和/或Dy；

所述的R-T-B磁體包括Ti_xNb₁相，所述X為3~5，所述Ti_xNb₁相位于富Nd相和主相顆粒之間，所述Ti_xNb₁相的面積與主相顆粒的總面積比為1~2%。

2.如權(quán)利要求1所述的R-T-B磁體，其特征在于，所述R的含量為30~32wt.%；

和/或，所述Nd的含量為25~31wt.%；

和/或，所述R的種類包括Pr。

3.如權(quán)利要求2所述的R-T-B磁體，其特征在于，所述R的含量為30wt.%、30.6wt.%、30.7wt.%或31.2wt.%；

和/或，所述Nd的含量為28.5wt.%、28.7wt.%、29.1wt.%、29.2wt.%、29.3wt.%、29.5wt.%、29.7wt.%或30.4wt.%；

和/或，所述Pr的含量在0.3wt.%以下，wt.%為占各組分總質(zhì)量的百分比；

和/或，當(dāng)所述RH含有Tb時，所述Tb的含量為0.5~1.4wt.%，wt.%為占各組分總質(zhì)量的百分比；

和/或，當(dāng)所述RH含有Dy時，所述Dy的含量為0.5~2wt.%，wt.%為占各組分總質(zhì)量的百分比；

和/或，所述RH的原子百分含量與所述R的原子百分含量的比值為0.1以下。

4.如權(quán)利要求2所述的R-T-B磁體，其特征在于，所述Pr的含量為0.2wt.%，wt.%為占各組分總質(zhì)量的百分比；

和/或，所述RH的含量為0.5wt.%、0.8wt.%、1wt.%、1.1wt.%、1.4wt.%、2wt.%或2.2wt.%，wt.%為占各組分總質(zhì)量的百分比；

當(dāng)所述RH含有Tb時，所述Tb的含量為0.5wt.%、0.6wt.%、0.8wt.%、1wt.%、1.1wt.%或1.4wt.%，wt.%為占各組分總質(zhì)量的百分比；

當(dāng)所述RH含有Dy時，所述Dy的含量為0.5wt.%、1wt.%、1.6wt.%或2wt.%，wt.%為占各組分總質(zhì)量的百分比；

和/或，所述RH的原子百分含量與所述R的原子百分含量的比值為0.02、0.04或0.06。

5.如權(quán)利要求1所述的R-T-B磁體，其特征在于，所述Ti+Nb的含量為0.22~0.7wt.%；

和/或，所述Ti與所述Nb的質(zhì)量比為（1.2~4.8）：1；

和/或，所述Ti的含量為0.12~0.56wt.%；

和/或，所述Nb的含量為0.08~0.14wt.%。

6.如權(quán)利要求5所述的R-T-B磁體，其特征在于，所述Ti+Nb的含量為0.22wt.%、0.28wt.%、0.35wt.%、0.38wt.%、0.45wt.%、0.58wt.%、0.59wt.%或0.7wt.%；

和/或，所述Ti與所述Nb的質(zhì)量比為1.2：1、1.8：1、2.5：1、3.5：1、3.8：1、4：1或4.8：1；

和/或，所述Ti的含量為0.12wt.%、0.18wt.%、0.25wt.%、0.3wt.%、0.35wt.%、0.48wt.%或0.56wt.%；

和/或，所述Nb的含量為0.08wt.%、0.1wt.%、0.11wt.%或0.14wt.%。