[發明專利]一種用于標準單元數據的分析方法

有效

• 申請號: 202110285282.4
• 申請日: 2021-03-17
• 公開（公告）號: CN113065294B
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發明（設計）人: 徐峰;于威;甘振華;劉圓;孫凌
• 申請（專利權）人: 上海天數智芯半導體有限公司
• 主分類號: G06F30/30
• 分類號: G06F30/30
• 代理公司: 南京鐘山專利代理有限公司 32252
• 代理人: 劉林峰

本發明公開了一種用于標準單元數據的分析方法，該標準單元數據分析方法將標準單元庫文件解析為單行全信息格式；利用單行全信息格式并結合輸入參數通過插值法得到標準單元數據，并根據需要對標準單元在本發明方法中得到的標準單元數據進行單一工藝角下的評價或多工藝角下的評價,從而篩選出更優異的標準單元。本發明通過改寫數據格式使得數據的查找和處理更為高效；同時通過對標準單元參數進行多維度評分，能篩選出更適合設計的標準單元。在實際設計中實現了更優秀的時序和更低的功耗。

技術領域

本發明屬于集成電路設計技術領域，具體地涉及一種用于標準單元數據的分析方法。

背景技術

在集成電路設計過程中，經常需要對標準單元參數進行查閱和分析，在自動化設計過程中也需要對單元進行篩選，以滿足時序、功耗和物理參數等要求。而現實中，這一操作都需要采用經驗和查閱大量文檔進行。

隨著集成電路設計向著更先進工藝發展，為了滿足設計中越來越嚴苛時序、功耗的要求，設計中所用到的標準單元也變得越來越多，這讓依賴經驗的方式變得不可靠；同時，隨著如今設計可以達到百億級晶體管規模，這使得自動化工具在選擇標準單元的過程中不可能實現遍歷所有標準單元，因而常常無法得到最優解的結果；再者，一個設計通常需要在多個工藝角下完成簽核，因此，僅從單個工藝角下去評估標準單元性能亦是不夠的。

發明內容

針對現有技術中存在的問題，本發明提供了一種用于標準單元數據的分析方法。該標準單元數據分析方法使得各輸入參數下能夠更加高效地獲得的標準單元數據；同時本發明的標準單元數據評價方法可進行多工藝角下的標準單元數據評價，從而篩選出評分高的標準單元。

為實現上述目的，本發明采用以下技術方案：一種用于標準單元數據的分析方法，具體過程如下：將標準單元庫中的每個標準單元的信息進行解析，均獲得單行全信息格式；根據單行全信息格式和輸入參數通過插值法得到標準單元數據，并將所述標準單元數據進行文本與可視化展示；所述標準單元數據包括：標準單元的延時D_elay和標準單元的功耗P_ower；所述標準單元數據通過以下方法得到：

D_elay＝A+B*X+C*Y+D*X*Y (1)

P_ower＝A+B*X+C*Y+D*X*Y

其中，A為第一插值參數，B為第二插值參數，C為第三插值參數，D為第四插值參數，X、Y為均為輸入參數。

進一步地，每個單行全信息格式均包括：引腳信息、電容值、數據類型、關聯引腳、時序類型、引腳信號狀態、二維查找表索引以及二維查找表。

進一步地，所述二維查找表中包括：電容值、延時值、功耗值。

進一步地，所述輸入參數為標準單元引腳上的輸入偏斜、輸出負載和關聯引腳輸入偏斜中的任意兩種。

進一步地，所述第一插值參數A通過以下方法獲得：

其中，X₁、X₂分別為二維查找表上第一橫向索引變量、第二橫向索引變量，Y₁、Y₂分別為二維查找表上第一縱向索引變量、第二縱向索引變量；a₁₁為(X₁，Y₁)對應的電容值、延時值或功耗值，a₁₂為(X₁，Y₂)對應的電容值、延時值或功耗值，a₂₁為(X₂，Y₁)對應的電容值、延時值或功耗值、a₂₂為(X₂，Y₂)對應的電容值、延時值或功耗值。

進一步地，所述第二插值參數B通過以下方法獲得：