[發明專利]一種太陽能電池片的制備方法

在審

• 申請號: 202110285073.X
• 申請日: 2021-03-17
• 公開（公告）號: CN112909130A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 蘇州聯諾太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 江蘇瑞途律師事務所 32346
• 代理人: 韋超峰

本發明公開了一種太陽能電池片的制備方法，屬于硅片處理工藝技術領域。本發明的方法包括對硅片進行預清洗處理和/或腐蝕處理得到處理硅片；之后利用擴散爐對處理硅片進行吸雜退火處理得到二次處理硅片；而后利用第一腐蝕液對二次處理硅片進行處理得到除雜硅片，之后對除雜硅片進行成片處理得到太陽能電池片。本發明克服了現有技術中，適用于太陽能電池的硅片中含有雜質，導致太陽能電池片性能較低的問題，提供了一種太陽能電池片的制備方法，可以去除硅片中的雜質，從而可以提高太陽能電池片的利用率，進一步可以提高太陽能電池的性能。

技術領域

本發明屬于硅片處理工藝技術領域，更具體地說，涉及一種太陽能電池片的制備方法。

背景技術

單晶硅片由單晶硅棒切割而成，一般先將單晶硅棒進行切方，得到用于制備單晶硅片的方棒，再將方棒切片制得單晶硅片。單晶硅棒切方會產生邊皮料，而邊皮料一般都是回爐或用作高效多晶鑄錠籽晶等使用。現有技術中除邊皮料外的正常單晶硅片中，仍會含有一些雜質，效率低于理論極限值。目前在利用硅片制作太陽能電池片過程中，并沒有對硅片進行吸雜處理，由于硅片中雜質的存在，導致由硅片所制作的太陽能電池片的性能有所降低，因此需要在制作太陽能電池片的過程中對硅片進行除雜。

經檢索，現有技術中對于邊皮料的除雜方法較多，目前的多晶硅錠邊皮料的雜質的去除方法，一般采用酸洗或者堿洗方式，即通過硝酸/氫氟酸或濃堿在高溫條件下對硅塊表面進行腐蝕，使得硅片表面雜質從硅塊基體脫落。此外例如發明創造名稱為：一種硅料邊皮中雜質的去除方法(申請日：2017年9月7日；申請號：201710800457.4)，該方案公開了一種硅料邊皮中雜質的去除方法，包括：將硅料邊皮放置于腐蝕液中浸泡預設時間，去除硅料邊皮表面的雜質，并將內嵌雜質暴露在表面；刷洗掉暴露在硅料邊皮表面的內嵌雜質，利用純水沖洗硅料邊皮至呈中性；對硅料邊皮進行腐蝕清洗并再次利用純水沖洗至呈中性；對硅料邊皮進行超聲清洗和烘干。上述方法可以去除硅料邊皮中雜質，但由于制作太陽能電池片所需硅片的質量要求以及制程清潔度要求較高，且上述方法對于硅料的清洗雜質效果不佳，因此上述方法并不適用于太陽能電池片制作過程中硅片的除雜。

綜上所述，如何去除適用太陽能電池硅片中的雜質，以提高太陽能電池的性能，是現有技術中亟需解決的問題。

發明內容

1.要解決的問題

本發明克服了現有技術中，適用于太陽能電池的硅片中含有雜質，導致太陽能電池性能較低的問題，提供了一種太陽能電池片的制備方法，可以去除硅片中的雜質，從而可以提高太陽能電池片的利用率，進一步可以提高太陽能電池的性能。

2.技術方案

為了解決上述問題，本發明所采用的技術方案如下：

本發明的一種太陽能電池片的制備方法，包括對硅片進行預清洗處理和/或腐蝕處理得到處理硅片；再利用擴散爐對處理硅片進行吸雜退火處理得到二次處理硅片；之后利用第一腐蝕液對二次處理硅片進行處理得到除雜硅片，之后對除雜硅片進行成片處理得到太陽能電池片。

作為本發明更進一步地改進，對硅片進行預清洗處理的具體過程為：將硅片放置于第一清洗液中浸泡若干秒，而后取出硅片并利用純水將硅片清洗至中性，再將清洗至中性的硅片進行烘干得到處理硅片。

作為本發明更進一步地改進，對硅片進行腐蝕處理的具體過程為：將硅片放置于第二腐蝕液中浸泡若干秒，而后取出硅片并利用純水將硅片清洗至中性，再將清洗至中性的硅片進行烘干得到處理硅片。

作為本發明更進一步地改進，對處理硅片進行吸雜退火處理之前還包括：將處理硅片放置于第二清洗液中浸泡若干秒，然后取出處理硅片并利用純水將處理硅片清洗至中性，之后對清洗至中性的處理硅片進行烘干。