[發明專利]半導體裝置在審
| 申請號： | 202110284825.0 | 申請日： | 2021-03-17 |
| 公開（公告）號： | CN113451409A | 公開（公告）日： | 2021-09-28 |
| 發明（設計）人： | 馬克斯·喬漢斯·亨利卡斯·凡·戴爾;荷爾本·朵爾伯斯;喬滋爾斯·凡里恩提斯 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L27/11585 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 聶慧荃;閆華 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置，包括：
一第一柵極；
一鐵電絕緣層，位于該第一柵極上；
一半導體組件，位于該鐵電絕緣層上；
一柵極介電層，位于該半導體組件上；以及
一第二柵極，位于該柵極介電層上。
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