[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202110284822.7
• 申請日: 2021-03-17
• 公開（公告）號: CN113451511A
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: 沈香谷;陳殿豪
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L49/02
• 分類號: H01L49/02
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;閆華

本公開實施例提供一種半導體裝置。半導體裝置包括接點結構、第一鈍化層、底導體板層、第二介電層、中間導體板層、第三介電層、頂導體板層及第二鈍化層。接點結構位于第一介電層中；第一鈍化層位于接點結構上；底導體板層位于第一鈍化層上，且底導體板層包括多個第一子層；第二介電層位于底導體板層上；中間導體板層位于第二介電層上，且中間導體板層包括多個第二子層；第三介電層位于中間導體板層上；頂導體板層位于第三介電層上，且頂導體板層包括多個第三子層；第二鈍化層位于頂導體板層上。

技術領域

本發明實施例涉及金屬-絕緣層-金屬電容器，尤其涉及導體板層的結構與組成。

背景技術

半導體集成電路產業已經歷快速成長。集成電路材料與設計中的技術進展，使每一代的集成電路比前一代具有更小且更復雜的電路。然而這些進展會增加制造與處理集成電路的復雜度。為實現這些進展，制造與處理集成電路的方法亦須類似進展。在集成電路演進中，功能密度(比如單位芯片面積的內連線裝置數目)通常隨著幾何尺寸(比如采用的制作工藝所能產生的最小構件)縮小而增加。

隨著集成電路裝置的幾何尺寸減少，需要較大表面積的無源裝置移動到后段工藝結構。金屬-絕緣層-金屬電容器為此類無源裝置的例子。一般的金屬-絕緣層-金屬電容器包括多個導體板層，其彼此隔有多個介電層以絕緣。導體板層的組成為金屬氧化物可避免因接觸含氧介電層而劣化。雖然具有導電性，金屬氮化物的導電性仍不如金屬。雖然現有的金屬-絕緣層-金屬結構與其制作工藝通常適用于其預期目的，但無法完全滿足所有方面的需求。

發明內容

本發明實施例的目的在于提供一種半導體裝置，以解決上述至少一個問題。

本發明一實施例關于半導體裝置。半導體裝置包括接點結構，位于第一介電層中；第一鈍化層，位于接點結構上；底導體板層，位于第一鈍化層上，且底導體板層包括多個第一子層；第二介電層，位于底導體板層上；中間導體板層，位于第二介電層上，且中間導體板層包括多個第二子層；第三介電層，位于中間導體板層上；頂導體板層，位于第三介電層上，且頂導體板層包括多個第三子層；以及第二鈍化層，位于頂導體板層上。

本發明另一實施例關于金屬-絕緣層-金屬結構。金屬-絕緣層-金屬結構包括底導體板層；第一介電層，位于底導體板層上；中間導體板層；第三介電層，位于中間導體板層上；以及頂導體板層，位于第三介電層上，其中底導體板層、中間導體板層、與頂導體板層各自包含第一導電阻擋層、第二導電阻擋層、與金屬層。

本發明又一實施例關于半導體裝置的形成方法。方法包括提供工件，包括導電結構；沉積第一絕緣層于導電結構上；形成多層底導體板層于第一絕緣層上；沉積第一介電層于多層底導體板層上；形成多層中間導體板層于第一介電層上；沉積第二介電層于多層中間導體板層上；形成多層頂導體板層于第二介電層上；以及沉積第二絕緣層于多層頂導體板層上。

附圖說明

圖1為本發明實施例中，制作半導體裝置的方法的流程圖。

圖2至圖13為本發明實施例中，工件于制作的多種階段的剖視圖。

附圖標記如下：

TT:總厚度

T1:第一厚度

T2:第二厚度

T3:第三厚度

100:方法

102,104,106,108,110,112,114,116,118,120,122:步驟

200:工件

202:基板

210:內連線層

220:碳化物層

230:氧化物層