[發明專利]發光裝置以及制造發光裝置的方法

在審

• 申請號: 202110284608.1
• 申請日: 2021-03-17
• 公開（公告）號: CN113497166A
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發明（設計）人: 崔山嬰;D·金
• 申請（專利權）人: 波音公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/24;H01L33/00;A61L2/10
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 付林;王小東

1.一種用于發射UVC輻射的發光裝置，所述發光裝置包括：

基底；

圖案化層，所述圖案化層包括在所述基底上的多個掩模區，所述基底的暴露部分設置在所述掩模區之間；

多個納米結構，所述多個納米結構設置在所述基底的所述暴露部分上和所述掩模區之上，所述多個納米結構是單晶半導體并且包括核芯尖端；

有源層，所述有源層設置在所述多個納米結構之上，所述有源層為量子阱結構并且包括選自AlN、AlGaN和GaN中的至少一種材料；以及

p摻雜層，所述p摻雜層設置在所述有源層之上，所述有源層和所述p摻雜層兩者與所述多個納米結構共形，以便在所述核芯尖端之上形成發射器尖端。

2.根據權利要求1所述的發光裝置，其中，所述多個納米結構包括選自AlN、GaN和AlGaN的至少一種材料，所述多個納米結構的所述材料不同于所述有源層的所述材料。

3.根據權利要求1所述的發光裝置，其中，所述納米結構具有選自棱柱、納米線和臺面的三維形狀。

4.根據權利要求1所述的發光裝置，其中，所述納米結構是波紋狀的脊。

5.根據權利要求1所述的發光裝置，其中，所述納米結構是六邊形臺面。

6.根據權利要求1所述的發光裝置，其中，所述發光裝置包括一個或多個發光二極管，所述一個或多個發光二極管被構造成發射具有范圍從約200nm至約350nm的波長的輻射。

7.根據權利要求1所述的發光裝置，其中，所述p摻雜層包括選自AlN、AlGaN和六邊形氮化硼的至少一種半導體材料，所述p摻雜層的所述材料不同于所述有源層的所述材料。

8.根據權利要求1所述的發光裝置，其中，所述p摻雜層具有分級的摻雜劑濃度。

9.一種制作UVC發光裝置的方法，所述方法包括：

形成包括在基底上的多個掩模區的圖案化層，其中，所述基底的暴露部分設置在所述掩模區之間；

在所述基底的所述暴露部分上和所述掩模區之上外延生長多個納米結構，所述多個納米結構包括核芯尖端；

在所述多個納米結構之上外延生長有源層，所述有源層為量子阱結構并且包括選自AlN、AlGaN和GaN中的至少一種材料；以及

在所述有源層之上沉積p摻雜層，所述有源層和所述p摻雜層兩者與所述多個納米結構共形，以便在所述核芯尖端之上形成發射器尖端。

10.一種對表面進行消毒的方法，所述方法包括：

使所述表面與從發光裝置發射的UVC輻射接觸，所述發光裝置包括：

基底；

圖案化層，所述圖案化層包括在所述基底上的多個掩模區，所述基底的暴露部分設置在所述掩模區之間；

多個納米結構，所述多個納米結構設置在所述基底的所述暴露部分上和所述掩模區之上，所述多個納米結構是單晶半導體并且包括核芯尖端；

有源層，所述有源層設置在所述多個納米結構之上，所述有源層為量子阱結構并且包括選自AlN、AlGaN和GaN中的至少一種材料；以及

p摻雜層，所述p摻雜層設置在所述有源層之上，所述有源層和所述p摻雜層兩者與所述多個納米結構共形，以便在所述核芯尖端之上形成發射器尖端。