[發(fā)明專利]電流傳感器、電流測(cè)量設(shè)備、系統(tǒng)、裝置和存儲(chǔ)介質(zhì)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110284529.0
• 申請(qǐng)日: 2021-03-17
• 公開（公告）號(hào): CN113049873B
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李鵬;田兵;呂前程;劉仲;駱柏鋒;王志明;孫宏棣;尹旭;張佳明;趙繼光;李立浧
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南方電網(wǎng)數(shù)字電網(wǎng)研究院有限公司
• 主分類號(hào): G01R19/25
• 分類號(hào): G01R19/25
• 代理公司: 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 盧曉霞

1.一種電流傳感器，其特征在于，所述電流傳感器包括：第一單軸TMR芯片、第二單軸TMR芯片和第三單軸TMR芯片；所述第一單軸TMR芯片、所述第二單軸TMR芯片和所述第三單軸TMR芯片位于同一虛擬圓環(huán)上；所述第一單軸TMR芯片至圓心的半徑與所述第二單軸TMR芯片至所述圓心的半徑之間的夾角A為90°，所述第一單軸TMR芯片至所述圓心的半徑與所述第三單軸TMR芯片至所述圓心的半徑之間的夾角B為180°；所述第一單軸TMR芯片的磁敏感方向、所述第二單軸TMR芯片磁敏感方向和所述第三單軸TMR芯片磁敏感方向均垂直于所述虛擬圓環(huán)的半徑；且所述第一單軸TMR芯片的磁敏感方向平行于所述第三單軸TMR芯片的磁敏感方向，且方向相反；

所述第一單軸TMR芯片、所述第二單軸TMR芯片和所述第三單軸TMR芯片均用于采集待測(cè)導(dǎo)線的磁感應(yīng)強(qiáng)度；所述待測(cè)導(dǎo)線的磁感應(yīng)強(qiáng)度用于計(jì)算所述待測(cè)導(dǎo)線的目標(biāo)電流值；其中，所述目標(biāo)電流值是將所述待測(cè)導(dǎo)線的磁感應(yīng)強(qiáng)度、所述虛擬圓環(huán)的半徑代入預(yù)設(shè)的電流計(jì)算公式計(jì)算得到的，其中所述預(yù)設(shè)的電流計(jì)算公式包括磁感應(yīng)強(qiáng)度變量、虛擬圓環(huán)半徑變量和電流值變量之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系，且是通過畢奧-薩伐爾定律確定的。

2.一種電流測(cè)量設(shè)備，其特征在于，所述電流測(cè)量設(shè)備包括：權(quán)利要求1所述的電流傳感器、與所述電流傳感器連接的處理器；

所述處理器用于根據(jù)待測(cè)導(dǎo)線的磁感應(yīng)強(qiáng)度和虛擬圓環(huán)的半徑計(jì)算所述待測(cè)導(dǎo)線的目標(biāo)電流值。

3.一種電流測(cè)量系統(tǒng)，其特征在于，所述電流測(cè)量系統(tǒng)包括：權(quán)利要求1所述的電流傳感器、與所述電流傳感器連接的計(jì)算機(jī)設(shè)備；

所述計(jì)算機(jī)設(shè)備用于根據(jù)待測(cè)導(dǎo)線的磁感應(yīng)強(qiáng)度、虛擬圓環(huán)的半徑和預(yù)設(shè)的電流計(jì)算公式計(jì)算所述待測(cè)導(dǎo)線的目標(biāo)電流值。

4.一種電流測(cè)量方法，其特征在于，應(yīng)用于如權(quán)利要求2所述的電流測(cè)量設(shè)備或如權(quán)利要求3所述的電流測(cè)量系統(tǒng)中，所述方法包括：

獲取第一單軸TMR芯片的磁感應(yīng)強(qiáng)度、第二單軸TMR芯片的磁感應(yīng)強(qiáng)度和第三單軸TMR芯片的磁感應(yīng)強(qiáng)度；

將所述第一單軸TMR芯片的磁感應(yīng)強(qiáng)度、所述第二單軸TMR芯片的磁感應(yīng)強(qiáng)度、所述第三單軸TMR芯片的磁感應(yīng)強(qiáng)度和虛擬圓環(huán)的半徑代入預(yù)設(shè)的電流計(jì)算公式中，計(jì)算得到待測(cè)導(dǎo)線的目標(biāo)電流值；所述電流計(jì)算公式包括磁感應(yīng)強(qiáng)度變量、虛擬圓環(huán)半徑變量和電流值變量之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系，且是通過畢奧-薩伐爾定律確定的。