[發明專利]包括傳輸晶體管的存儲器裝置

在審

• 申請號: 202110284268.2
• 申請日: 2021-03-17
• 公開（公告）號: CN114078881A
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發明（設計）人: 樸泰成;金鎮浩
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/11582
• 分類號: H01L27/11582;H01L27/1157;H01L27/11556;H01L27/11524;G11C16/04;G11C16/08;G11C16/12;G11C16/26
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

本申請涉及包括傳輸晶體管的存儲器裝置。一種存儲器裝置包括：有源區，該有源區具有漏極；多個存儲器塊，其在第一方向上布置；以及多個傳輸晶體管，其形成在有源區中并共享漏極，多個傳輸晶體管中的每一個傳輸晶體管被配置為響應于塊選擇信號而從漏極向多個存儲器塊中的相應存儲器塊傳送操作電壓。多個傳輸晶體管被劃分為第一傳輸晶體管和第二傳輸晶體管。第一傳輸晶體管的溝道長度方向和第二傳輸晶體管的溝道長度方向可以彼此不同。

技術領域

各種實施方式總體涉及半導體技術，并且更具體地，涉及包括傳輸晶體管的存儲器裝置。

背景技術

易失性存儲器裝置具有高的寫入和讀取速度，但是如果電源中斷，其內所存儲的數據會丟失。非易失性存儲器裝置具有相對低的寫入和讀取速度，但是即使電源中斷也可以保留其內所存儲的數據。因此，為了存儲無論電源如何都應保留的數據，可以使用非易失性存儲器裝置。非易失性存儲器裝置包括只讀存儲器(ROM)、掩碼ROM(MROM)、可編程ROM(PROM)、可擦除可編程ROM(EPROM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)、閃存、相變隨機存取存儲器(PRAM)、磁RAM(MRAM)、電阻RAM(RRAM)和鐵電RAM(FRAM)。閃存可以劃分為NOR型存儲器和NAND型存儲器。

在非易失性存儲器裝置中，NAND閃存裝置廣泛用作數據儲存裝置。NAND閃存裝置可以經由傳輸晶體管向存儲器單元傳送操作電壓。

發明內容

各種實施方式涉及能夠有助于改善存儲器裝置的性能并減小其尺寸的措施。

在實施方式中，一種存儲器裝置可以包括：有源區，其具有漏極；多個存儲器塊，其沿第一方向布置；以及多個傳輸晶體管，其形成在有源區中并共享漏極，多個傳輸晶體管中的每一個傳輸晶體管被配置為響應于塊選擇信號而從漏極向多個存儲器塊中的相應存儲器塊傳送操作電壓。多個傳輸晶體管被劃分為第一傳輸晶體管和第二傳輸晶體管。第一傳輸晶體管的溝道長度方向和第二傳輸晶體管的溝道長度方向可以彼此不同。

第一傳輸晶體管的溝道長度方向可以是第一方向，并且第二傳輸晶體管的溝道長度方向可以是與第一方向相交的第二方向。

在實施方式中，一種存儲器裝置可以包括：四個存儲器塊，其沿第一方向布置；以及四個傳輸晶體管，其被配置為響應于塊選擇信號而選擇性地向四個存儲器塊中的任何一個傳送操作電壓。四個傳輸晶體管可以包括：第一柵極至第四柵極，其分別形成在十字形狀有源區的在第一方向上和與第一方向相交的第二方向上延伸的延伸部分上；漏極，其形成在有源區的中心部分中，漏極被第一柵極至第四柵極圍繞并且被配置為接收操作電壓；以及第一源極至第四源極，其分別形成在有源區的延伸部分的端部中并分別聯接至與之相對應的存儲器塊，并被配置為向相應存儲器塊輸出操作電壓。

在實施方式中，一種存儲器裝置可以包括：基板；以及四個傳輸晶體管，其限定在基板上，并且包括公共漏極、圍繞公共漏極設置的四個柵極、以及相對于四個柵極與公共漏極相對地設置的四個源極。四個傳輸晶體管可以配置在一個有源區中，該一個有源區限定在基板中。

附圖說明

圖1是例示了根據本公開的實施方式的存儲器裝置的表示的框圖。

圖2是例示了圖1中示出的存儲器塊的表示的等效電路圖。

圖3是例示了圖1中示出的存儲器塊的表示的立體圖。

圖4是例示了根據本公開的實施方式的行解碼器的表示的框圖。

圖5是例示了圖4所示的傳輸晶體管組的表示的電路圖。

圖6是例示了根據本公開的實施方式的傳輸晶體管的表示的布局圖。

圖7是例示了圖6中示出的存儲器塊的結構的表示的布局圖。

圖8是例示了與本公開有關的存儲器裝置的傳輸晶體管和存儲器塊的表示的布局圖。