[發明專利]一種電壓暫降治理裝置在審
| 申請號: | 202110283556.6 | 申請日: | 2021-03-17 |
| 公開(公告)號: | CN113054666A | 公開(公告)日: | 2021-06-29 |
| 發明(設計)人: | 于程玲 | 申請(專利權)人: | 武漢本征電氣有限公司;上海電氣電力電子有限公司 |
| 主分類號: | H02J3/12 | 分類號: | H02J3/12;H02J3/16;H02J7/34;H05K7/20;H02M1/14;H02M1/32;H02M1/36 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 430000 湖北省武漢市武漢東湖新技*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電壓 治理 裝置 | ||
1.一種電壓暫降治理裝置,所述裝置由電子開關與旁路電路(1)、開關電源充電電路(2)、儲能穩壓電路(3)、逆變及軟起電路(4)組成。所述電子開關與旁路電路(1)串聯在單相線路中的L相線路中。所述開關電源充電電路(2)的輸入端連接源側L、N相線路,其輸出端子接入到所述儲能穩壓電路(3)。所述儲能穩壓電路(3)的輸出端子連接所述逆變及軟起電路(4)的輸入端子。所述逆變及軟起電路(4)的輸出端子接入負荷側L、N相線路。
2.電子開關與旁路電路(1)采用機械旁路開關(1b)與電子開關(1a)并聯的方式,所述電子開關與旁路電路(1)中的電子開關(1a)可由晶閘管半控器件構楊或者由絕緣柵雙極型晶體管IGBT、金屬-氧化物半導體場效應晶體管MOSFET全控器件構成,與機械旁路開關(1b)并聯后串接在L相線路中。
3.開關電源充電電路(2)主要由開關電源電路構成,電路中設計有隔離輸入與輸出高頻變壓器,體積小、效率高,工作在恒流限壓模式下。
4.儲能穩壓電路(3)由儲能器件(3a)和Boost電路構成,在儲能器件電壓波動時可穩定提供所述逆變及軟起電路(4)所正常工作時需要的電壓。
5.逆變及軟起電路(4)由直流支撐電容(4a)、H橋逆變電路(4b)、連接電感(4c)、軟起電路(4d)組成。所述直流支撐電容(4a)用于支持吸收逆變器產生的紋波電流并提供Vdc電壓支撐。裝置檢測Vdc電壓、Idc電流以及啟動信號,以決定所述H橋逆變電路(4b)是否滿足運行條件,所述連接電感(4c)用于裝置并網及減小輸出紋波,所述軟起電路(4d)在裝置初次上電時用于減小電流對所述H橋逆變電路(4b)的沖擊。
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