[發明專利]半導體器件及其形成方法

在審

• 申請號: 202110283495.3
• 申請日: 2021-03-16
• 公開（公告）號: CN113140546A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 邱奕勛;蔡慶威;黃禹軒;莊正吉;張尚文
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L27/088;H01L21/768;H01L21/8234
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體器件，包括：

第一晶體管結構；

第一互連結構，位于所述第一晶體管結構的前側上；以及

第二互連結構，位于第一晶體管結構的背側上，所述第二互連結構包括：

第一介電層，位于所述第一晶體管結構的所述背側上；

接觸件，延伸穿過所述第一介電層至所述第一晶體管結構的源極/漏極區；以及

第一間隔件，在所述接觸件和所述第一介電層之間沿所述接觸件的側壁，其中，面對所述第一介電層的所述第一間隔件的側壁與所述第一晶體管結構的所述源極/漏極區的側壁對準。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

第二介電層，包圍所述源極/漏極區；以及

氣隙，位于所述第二介電層中。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述第二介電層包括低介電常數材料。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述第一介電層包括低介電常數材料，以及其中所述第一介電層和所述第二介電層圍繞所述氣隙。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二互連結構還包括電連接到所述接觸件的電源軌。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二互連結構還包括第二介電層，所述第二介電層包括與所述第一介電層的表面齊平的表面，所述第二介電層具有與所述第一晶體管結構的納米結構的側壁對準的側壁。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，還包括第二間隔件，所述第二間隔件在所述第二介電層和所述第一介電層之間沿所述第二介電層的側壁，其中面對所述第一介電層的所述第二間隔件的側壁與所述第一晶體管結構的柵極結構的端面對準。

8.一種半導體器件，包括：

第一晶體管結構，所述第一晶體管結構包括第一納米結構、包圍所述第一納米結構的第一柵極結構，以及鄰近所述第一柵極結構的第一源極/漏極區；

第一互連結構，位于所述第一晶體管結構的前側上；以及

第二互連結構，位于所述第一晶體管結構的背側上，所述第二互連結構包括：

第一介電層，位于在所述第一晶體管結構的所述背側上；以及

第一間隔件，延伸穿過所述第一介電層，所述第一間隔件的第一側壁與所述第一柵極結構的第一端面對準。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，還包括延伸穿過所述第一介電層的第二間隔件，所述第二間隔件的第二側壁與所述第一源極/漏極區的側壁對準。

10.一種形成半導體器件的方法，包括：

在第一半導體襯底上形成晶體管結構；

減薄所述半導體襯底以暴露鰭；

在減薄所述半導體襯底之后，沿所述鰭的側壁形成第一間隔件；

使用所述第一間隔件作為掩模蝕刻所述晶體管結構的源極/漏極區；以及

鄰近所述源極/漏極區形成第一層間電介質。