[發(fā)明專利]用于連續(xù)單晶硅生長(zhǎng)的石英坩堝及其制造方法和組合坩堝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110282991.7
• 申請(qǐng)日: 2021-03-16
• 公開（公告）號(hào): CN112981519A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黎志欣;劉華;李占賢;周子義
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 大連連城數(shù)控機(jī)器股份有限公司
• 主分類號(hào): C30B15/10
• 分類號(hào): C30B15/10;C30B29/06
• 代理公司: 大連東方專利代理有限責(zé)任公司 21212
• 代理人: 李洪福

1.一種用于連續(xù)單晶硅生長(zhǎng)的石英坩堝，其特征在于，所述石英坩堝包括堝體和設(shè)置在所述堝體底部外圍的底部圍擋，所述底部圍擋的上部?jī)?nèi)壁與所述堝體的外壁緊密接觸連接，所述底部圍擋具有通孔Ⅰ，所述堝體在所述底部圍擋與所述堝體緊密接觸連接處的下側(cè)具有通孔Ⅱ。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于連續(xù)單晶硅生長(zhǎng)的石英坩堝，其特征在于，所述堝體包括直壁部和弧壁部，所述直壁部的橫截面呈圓環(huán)形，所述直壁部的中縱截面呈矩形，所述弧壁部的橫截面呈圓環(huán)形，所述弧壁部的內(nèi)徑由上至下逐漸減小，且所述弧壁部的中縱截面呈弧形；所述直壁部的內(nèi)徑與所述弧壁部的頂部?jī)?nèi)徑相匹配；

所述底部圍擋的橫截面呈圓環(huán)形，所述底部圍擋的中縱截面呈等腰梯形，且所述等腰梯形的上邊長(zhǎng)于所述等腰梯形的下邊；所述底部圍擋的底部?jī)?nèi)徑與所述上部的內(nèi)徑相匹配；

所述直壁部的厚度與所述底部圍擋的厚度相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于連續(xù)單晶硅生長(zhǎng)的石英坩堝，其特征在于，所述弧壁部的高為h，所述底部圍擋的高為l，l≥h。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種用于連續(xù)單晶硅生長(zhǎng)的石英坩堝，其特征在于，所述底部圍擋的外壁與豎直方向的夾角為θ，所述直壁部的厚度和所述底部圍擋的厚度w＝l×tanθ。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于連續(xù)單晶硅生長(zhǎng)的石英坩堝，其特征在于，所述石英坩堝由純度大于99％的石英砂制成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于連續(xù)單晶硅生長(zhǎng)的石英坩堝的制造方法，其特征在于，所述石英坩堝由現(xiàn)有坩堝切割形成，所述現(xiàn)有坩堝包括所述鍋體和設(shè)置在所述鍋體上的斜壁區(qū)，所述現(xiàn)有坩堝的斜壁區(qū)切割后置于所述鍋體的底部，所述斜壁區(qū)形成所述底部圍擋，并使所述底部圍擋的上部?jī)?nèi)壁與所述堝體的外壁緊密接觸連接，且在所述底部圍擋加工所述通孔Ⅰ，所述堝體在所述底部圍擋與所述堝體緊密接觸連接處的下側(cè)加工有所述通孔Ⅱ。

7.一種具有用于連續(xù)單晶硅生長(zhǎng)的石英坩堝的組合坩堝，其特征在于，包括權(quán)利要求1～5任一權(quán)利要求所述的石英坩堝和外坩堝；

所述堝體的底部與所述外坩堝的堝底緊密接觸連接；

所述底部圍擋的底部與所述外坩堝的堝底緊密接觸連接；

所述堝體內(nèi)形成長(zhǎng)晶區(qū)；

所述堝體、所述底部圍擋和所述外坩堝的堝底之間圍成的區(qū)域形成緩沖區(qū)；

所述堝體、所述底部圍擋和所述外坩堝的堝壁之間圍成的區(qū)域形成化料區(qū)。