[發明專利]OLED顯示面板及其制備方法

在審

• 申請號: 202110282792.6
• 申請日: 2021-03-16
• 公開（公告）號: CN113097406A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 胡威威;林高波
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 張曉薇

1.一種OLED顯示面板制備方法，其特征在于，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上制備驅動電路層；

在所述驅動電路層上制備陽極和輔助電極，所述輔助電極與所述陽極同層且絕緣設置；

在所述輔助電極上表面制備犧牲層；

在所述平坦層上制備得到像素定義層，所述像素定義層包括使部分所述犧牲層及部分所述輔助電極裸露的過孔；

去除所述犧牲層，以在所述像素定義層與所述輔助電極之間形成底腔；

在所述像素定義層上制備發光層以及陰極，所述陰極在所述底腔內與所述輔助電極觸接。

2.如權利要求1所述的OLED顯示面板制備方法，其特征在于，在所述像素定義層上制備得到發光層的步驟還包括：

制備發光層時采用第一蒸鍍角，使發光層未完全覆蓋所述底腔下方的所述輔助電極。

3.如權利要求1所述的OLED顯示面板制備方法，其特征在于，制備得到陰極的步驟還包括：

制備所述陰極時采用第二蒸鍍角，在所述底腔內形成所述陰極，所述陰極與所述輔助電極在所述底腔內觸接。

4.如權利要求1所述的OLED顯示面板制備方法，其特征在于，去除所述犧牲層形成所述底腔的步驟還包括：

提供一氫氟酸刻蝕液，整面用氫氟酸刻蝕液對所述犧牲層進行濕法刻蝕，去除所述犧牲層并形成所述底腔。

5.如權利要求1所述的OLED顯示面板制備方法，其特征在于，制備得到犧牲層的步驟還包括：

形成一氧化硅、氮化硅或氮氧化硅膜層，將所述氧化硅、氮化硅或氮氧化硅膜層形成所述犧牲層，所述犧牲層制備材料為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

6.一種OLED顯示面板，其特征在于，包括：

襯底；

TFT器件，所述TFT器件設置在所述襯底上；

發光器件，所述發光器件設置在所述TFT器件上方，所述發光器件包括陽極、像素定義層、發光層、陰極；

其中，所述OLED顯示面板包括輔助電極，所述輔助電極與所述陽極同層且絕緣設置，所述輔助電極上方區域的所述像素定義層形成有過孔，所述過孔的內側壁形成有底腔、以及設置在所述底腔上方的懸空部，所述陰極通過所述過孔延伸至所述底腔內與所述輔助電極觸接。

7.如權利要求6所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述輔助電極包括氧化銦錫/銀/氧化銦錫、氧化銦鋅/銀/氧化銦鋅、氧化銦錫/鋁/氧化銦錫或者氧化銦鋅/鋁/氧化銦鋅中的任一種，所述輔助電極的厚度范圍為500埃至2000埃。

8.如權利要求7所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述底腔在所述襯底上的正投影與所述像素定義層在所述襯底上的正投影重疊。

9.如權利要求8所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述陰極被所述底腔隔斷形成相互絕緣的第一陰極部和第二陰極部，所述第一陰極部與所述輔助電極觸接，所述第二陰極部設置在所述懸空部上方。

10.如權利要求9所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述第一陰極部在所述襯底上的正投影與所述第二陰極部在所述襯底上的正投影有部分重疊區域。