[發明專利]半導體器件及其制作方法

有效

• 申請號: 202110281808.1
• 申請日: 2021-03-16
• 公開（公告）號: CN113066799B
• 公開（公告）日: 2022-08-19
• 發明（設計）人: 劉學剛;李威諭
• 申請（專利權）人: 泉芯集成電路制造（濟南）有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/02;H01L21/77
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 姚璐華

1.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括：

第一導體層，所述第一導體層包括至少一條第一走線；

第二導體層，所述第二導體層包括至少一條第二走線；所述第一走線與所述第二走線交叉接觸；

絕緣層，所述絕緣層位于所述第二導體層背離所述第一導體層的一側；

通孔，所述通孔貫穿所述絕緣層，所述第一走線與所述第二走線的至少一個交叉位置上具有所述通孔；

第三導體層，所述第三導體層位于所述絕緣層背離所述第一導體層與所述第二導體層的一側；

其中，所述第三導體層通過所述通孔與所述第一走線和所述第二走線連接；

具有至少一條所述第一走線；具有多條平行排布的所述第二走線；其中，所述第一走線與所有所述第二走線均交叉；

交叉位置上均具有一個所述通孔；在第一方向上相鄰的第一交叉位置與第二交叉位置之間具有N個所述通孔，所述第一方向為所述第一走線的延伸方向；

N＝floor((S+En1+En2-smin)/(smin+w))

s0＝(S+En1+En2–N*w)/(N+1)

其中，smin為所述第一方向上相鄰的兩個所述通孔的最小設計距離；w為所述通孔在所述第一方向上的寬度；S為相鄰兩條所述第二走線的線間距；所述第一交叉位置上的所述通孔與所述第一交叉位置朝向所述第二交叉位置的邊具有距離En1；所述第二交叉位置上的所述通孔與所述第二交叉位置朝向所述第一交叉位置的邊具有距離En2；s0為兩個通孔的實際間距。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，具有多個所述交叉位置，每個所述交叉位置上均至少設置有一個所述通孔。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述通孔均位于所述第一走線上；

同一條所述第一走線上的所述通孔均勻分布。

4.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述通孔均位于所述第二走線上；

同一條所述第二走線上的所述通孔均勻分布。

5.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，一部分所述通孔位于所述第一走線上，另一部分所述通孔位于所述第二走線上；

同一條所述第一走線上的所述通孔均勻分布；

同一條所述第二走線上的所述通孔均勻分布。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，具有至少一條所述第二走線；

具有多條平行排布的所述第一走線；

其中，所述第二走線與所有所述第一走線均交叉。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，交叉位置上均具有一個所述通孔；在第二方向上相鄰的第三交叉位置與第四交叉位置之間具有M個所述通孔，所述第二方向為所述第二走線的延伸方向；

M＝floor((S’+En1’+En2’-smin’)/(smin’+w’))

s0’＝(S’+En1’+En2’–M*w’)/(M+1)

其中，smin’為所述第二方向上相鄰的兩個所述通孔的最小設計距離；w’為所述通孔在所述第二方向上的寬度；S’為相鄰兩條所述第一走線的線間距；所述第四交叉位置上的所述通孔與所述第三交叉位置朝向所述第四交叉位置的邊具有距離En1’；所述第四交叉位置上的所述通孔與所述第四交叉位置朝向所述第三交叉位置的邊具有距離En2’；s0’為兩個通孔的實際間距。

8.一種如權利要求1-7任一項所述半導體器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

形成第一導體層，所述第一導體層包括至少一條第一走線；

形成第二導體層，所述第二導體層包括至少一條第二走線；所述第一走線與所述第二走線交叉接觸；

在所述第二導體層背離所述第一導體層的一側形成絕緣層；

形成貫穿所述絕緣層的通孔，所述第一走線與所述第二走線的至少一個交叉位置上具有所述通孔；

在所述絕緣層背離所述第一導體層與所述第二導體層的一側形成第三導體層；

其中，所述第三導體層通過所述通孔與所述第一走線和所述第二走線連接。