[發(fā)明專利]顯示基板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110281712.5 | 申請日: | 2021-03-16 |
| 公開(公告)號: | CN113053924A | 公開(公告)日: | 2021-06-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 薛大鵬;董水浪;王珂;曹占鋒 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/15;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京安信方達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262 | 代理人: | 蔣冬梅;曲鵬 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于,包括:
基底以及設(shè)置在所述基底上的多個子像素;
至少一個子像素包括透光區(qū)和顯示區(qū);所述顯示區(qū)包括:設(shè)置在所述基底上的電路結(jié)構(gòu)層和發(fā)光元件;所述發(fā)光元件與電路結(jié)構(gòu)層連接;
所述顯示基板還包括設(shè)置在所述基底上的多個絕緣層,至少一個絕緣層在所述透光區(qū)鏤空。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述多個絕緣層包括:至少一個有機絕緣層和多個無機絕緣層;至少一個有機絕緣層在所述透光區(qū)鏤空,或者,至少一個無機絕緣層在所述透光區(qū)鏤空。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述透光區(qū)設(shè)置有多個絕緣層,所述多個絕緣層中相鄰絕緣層的折射率差值的絕對值小于或等于0.5。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示區(qū)還包括以下至少之一:位于所述電路結(jié)構(gòu)層靠近所述基底一側(cè)的第一防反射層、位于所述電路結(jié)構(gòu)層遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)的第二防反射層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示基板,其特征在于,所述電路結(jié)構(gòu)層包括:設(shè)置在所述基底上的第一導(dǎo)電層、半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電層、第三導(dǎo)電層、第四導(dǎo)電層和第五導(dǎo)電層;
所述多個絕緣層包括:位于所述基底與第一導(dǎo)電層之間的第一絕緣層、位于所述第一導(dǎo)電層與半導(dǎo)體層之間的第二絕緣層、位于所述半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電層之間的第三絕緣層、位于所述第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層之間的第四絕緣層、位于所述第三導(dǎo)電層和第四導(dǎo)電層之間的第五絕緣層、位于所述第四導(dǎo)電層和第五導(dǎo)電層之間的第六絕緣層和第七絕緣層、位于所述第五導(dǎo)電層與第二防反射層之間的第八絕緣層和第九絕緣層;
其中,所述第一絕緣層至第五絕緣層、第七絕緣層和第八絕緣層為無機絕緣層;所述第六絕緣層和第九絕緣層為有機絕緣層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示基板,其特征在于,所述第一防反射層和所述第一導(dǎo)電層為一體結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示基板,其特征在于,所述第一防反射層在所述基底上的正投影至少包含所述第五導(dǎo)電層在所述基底上的正投影。
8.根據(jù)權(quán)利要求5至7中任一項所述的顯示基板,其特征在于,所述第一防反射層朝向所述基底的表面的反射率至少低于所述第五導(dǎo)電層朝向所述基底的表面的反射率。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示基板,其特征在于,所述第一防反射層的材料的反射率小于所述第五導(dǎo)電層的材料的反射率。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示基板,其特征在于,所述第二防反射層在所述基底上的正投影包含所述發(fā)光元件和第五導(dǎo)電層在所述基底上的交疊區(qū)域之外的顯示區(qū)內(nèi)的區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示基板,其特征在于,所述第一絕緣層采用SiNx和SiOx疊層結(jié)構(gòu),第二絕緣層的材料為SiOx,第三絕緣層采用SiOx和SiNx疊層結(jié)構(gòu),第四絕緣層的材料為SiNx,第五絕緣層采用SiOx和SiNx疊層結(jié)構(gòu),第七絕緣層和第八絕緣層的材料為SiNx;
或者,所述第一絕緣層的材料為SiOx,第二絕緣層的材料為SiOx,第三絕緣層采用SiOx和SiNx疊層結(jié)構(gòu),第四絕緣層的材料為SiNx,第五絕緣層的材料為SiNx,第七絕緣層和第八絕緣層的材料為SiNx。
12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示基板,其特征在于,所述第一絕緣層和第五絕緣層在所述透光區(qū)鏤空;或者,所述第一絕緣層至所述第九絕緣層在所述透光區(qū)鏤空;或者,所述第六絕緣層和第九絕緣層在所述透光區(qū)鏤空;或者,所述透光區(qū)僅設(shè)置第六絕緣層和第九絕緣層。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示基板還包括:增透層,位于所述基底遠(yuǎn)離所述子像素的一側(cè);所述增透層在所述基底上的正投影覆蓋所述透光區(qū)和顯示區(qū)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





