[發明專利]一種避免陰極斷裂的PDL的制備方法在審
| 申請號： | 202110281680.9 | 申請日： | 2021-03-16 |
| 公開（公告）號： | CN113054148A | 公開（公告）日： | 2021-06-29 |
| 發明（設計）人： | 任艷剛;劉勝芳;韓旭 | 申請（專利權）人： | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/56 | 分類號： | H01L51/56 |
| 代理公司： | 蕪湖安匯知識產權代理有限公司 34107 | 代理人： | 尹婷婷 |
| 地址： | 241000 安徽省蕪湖市蕪湖長江*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 避免 陰極 斷裂 pdl 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種避免陰極斷裂的PDL的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)在間隔設有陽極膜層的CMOS基板上進行PDL成膜，得到第一基板；
(2)在所述第一基板的陽極膜層之間的PDL膜層上涂覆光刻膠，并進行曝光顯影，得到第二基板；
(3)對所述第二基板進行干法刻蝕除去陽極膜層表面的PDL膜層，得到第三基板；
(4)對所述第三基板進行清洗，去除光刻膠，可得到陽極膜層與PDL膜層緊密貼合交替布置的CMOS基板。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述成膜的厚度可小于、等于或者大于陽極膜層的厚度。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)中，所述成膜的厚度為40-150nm。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)之前包括對間隔設有陽極膜層的CMOS基板進行清洗的步驟。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述PDL膜層的材料為SiNx。
6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)中，在CMOS基板上進行陽極成膜、涂覆光刻膠、曝光顯影、干法刻蝕得到間隔設有陽極膜層的CMOS基板。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
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