[發(fā)明專利]一種化學(xué)機(jī)械研磨方法及其分析系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110281539.9
• 申請日: 2021-03-16
• 公開（公告）號: CN112658971B
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金文祥;李武祥;李阿龍;陳海楠
• 申請（專利權(quán)）人: 晶芯成（北京）科技有限公司
• 主分類號: B24B37/005
• 分類號: B24B37/005
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 朱艷

1.一種化學(xué)機(jī)械研磨方法，其特征在于，其至少包括以下步驟：

提供一目標(biāo)晶圓；

獲得所述目標(biāo)晶圓上不同區(qū)域的研磨量及研磨墊上對應(yīng)所述目標(biāo)晶圓上不同區(qū)域的研磨速率，獲得所述目標(biāo)晶圓上不同區(qū)域的研磨量的方法包括：

在所述目標(biāo)晶圓上的不同區(qū)域內(nèi)根據(jù)對應(yīng)研磨墊上研磨墊整流器劃過的軌跡采集多個待檢測點(diǎn)；

獲得所述多個待檢測點(diǎn)的當(dāng)前厚度值及目標(biāo)厚度值；

所述目標(biāo)晶圓上任一區(qū)域的研磨量為此區(qū)域內(nèi)待檢測點(diǎn)的目標(biāo)厚度值與當(dāng)前厚度值的差值；

建立研磨墊整流器的速率修正模型，所述研磨墊整流器的速率修正模型為：V=L*C*K/(T*B)，其中，V為研磨墊整流器的移動速率；L為研磨墊整流器的移動距離；B為晶圓每個區(qū)域內(nèi)研磨速率占晶圓上所有區(qū)域內(nèi)的研磨速率的比重；T為研磨墊整流器移動所需的基準(zhǔn)時間；C為晶圓每個區(qū)域內(nèi)的研磨量占晶圓上所有區(qū)域內(nèi)的研磨量的比重；K為常系數(shù)，用于在不同情形下平衡C和B的關(guān)系；

根據(jù)所述修正模型，獲得實(shí)時調(diào)整的研磨墊對所述目標(biāo)晶圓上不同區(qū)域的當(dāng)前研磨速率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種化學(xué)機(jī)械研磨方法，其特征在于，所述研磨墊對所述目標(biāo)晶圓的研磨速率與所述研磨墊整流器對對應(yīng)位置的研磨墊的打磨速率成正比。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種化學(xué)機(jī)械研磨方法，其特征在于，所述目標(biāo)晶圓上的不同區(qū)域包括以所述目標(biāo)晶圓的圓心為中心的中心圓區(qū)域，及由所述中心圓區(qū)域向外輻射的多個同心圓環(huán)區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種化學(xué)機(jī)械研磨方法，其特征在于，所述研磨墊整流器在所述研磨墊上劃過的軌跡為經(jīng)過所述研磨墊上對應(yīng)于所述目標(biāo)晶圓的所述中心圓區(qū)域的弧形軌跡。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種化學(xué)機(jī)械研磨方法，其特征在于，研磨速率與所述研磨墊整流器打磨研磨墊的時間呈反比。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種化學(xué)機(jī)械研磨方法，其特征在于，通過測機(jī)或前批產(chǎn)品的量測結(jié)果得到晶圓上不同區(qū)域的研磨速率。

7.采用如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的化學(xué)機(jī)械研磨方法獲得的化學(xué)機(jī)械研磨分析系統(tǒng)，其特征在于，其包括：

數(shù)據(jù)采集單元，其用于采集數(shù)據(jù)；

數(shù)據(jù)建模單元，其與所述數(shù)據(jù)采集單元連接，用于建立研磨墊整流器的速率修正模型，所述研磨墊整流器的速率修正模型為：V=L*C*K/(T*B)，其中，V為研磨墊整流器的移動速率；L為研磨墊整流器的移動距離；B為晶圓每個區(qū)域內(nèi)研磨速率占晶圓上所有區(qū)域內(nèi)的研磨速率的比重；T為研磨墊整流器移動所需的基準(zhǔn)時間；C為晶圓每個區(qū)域內(nèi)的研磨量占晶圓上所有區(qū)域內(nèi)的研磨量的比重；K為常系數(shù)，用于在不同情形下平衡C和B的關(guān)系；

數(shù)據(jù)輸出單元，其與所述數(shù)據(jù)建模單元連接，用于根據(jù)所述修正模型，實(shí)時輸出調(diào)整后的研磨墊對目標(biāo)晶圓上不同區(qū)域的當(dāng)前研磨速率。