[發(fā)明專利]一種柔性疏水基襯底上圖案化刻蝕PEDOT:PSS透明電極的紫外光刻方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110281429.2
• 申請日: 2021-03-16
• 公開（公告）號: CN113054058B
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田浩;李帥;譚鵬;孟祥達
• 申請（專利權(quán)）人: 哈爾濱工業(yè)大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01B13/00;G03F7/20
• 代理公司: 哈爾濱市松花江聯(lián)合專利商標代理有限公司 23213
• 代理人: 侯靜

1.一種柔性疏水基襯底上圖案化刻蝕PEDOT:PSS透明電極的紫外光刻方法，其特征在于它是按以下步驟完成的：一、在清潔后的基底上旋涂聚酰亞胺溶液，烘干后得到亞胺化的襯底；

二、在亞胺化的襯底上旋涂光刻膠、烘干，重復涂膠、烘干步驟操作1-3次，得到光刻膠層；旋涂光刻膠時勻膠機的轉(zhuǎn)速為2000rpm，旋涂時間為50s；光刻膠為通用正膠Lift?off光刻膠；

三、使用紫外光刻機對光刻膠進行掩膜曝光，烘干后顯影獲得帶有預設(shè)圖案光刻膠層的襯底；

四、在帶有預設(shè)圖案的光刻膠層上使用勻膠機旋涂PEDOT:PSS水溶液，加熱烘干，烘干的溫度為50℃，時間為120s；然后置于有機溶劑中浸泡并振蕩，超聲清洗，氮氣吹干后進行烘干固定處理，將聚酰亞胺襯底從基底上剝離，即得到聚酰亞胺襯底上圖案化的有機薄膜PEDOT:PSS電極；其中旋涂轉(zhuǎn)速4000rpm-8000rpm，時間40s-60s。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種柔性疏水基襯底上圖案化刻蝕PEDOT:PSS透明電極的紫外光刻方法，其特征在于步驟一旋涂聚酰亞胺溶液時勻膠機轉(zhuǎn)速為1000rpm-5000rpm，旋涂時間為30s-60s。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種柔性疏水基襯底上圖案化刻蝕PEDOT:PSS透明電極的紫外光刻方法，其特征在于步驟一中聚酰亞胺溶液的固含量為20％，粘度為5000-6000cP。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種柔性疏水基襯底上圖案化刻蝕PEDOT:PSS透明電極的紫外光刻方法，其特征在于步驟一中的烘干為熱臺100℃烘干10min，再250℃烘干30min。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種柔性疏水基襯底上圖案化刻蝕PEDOT:PSS透明電極的紫外光刻方法，其特征在于步驟二中的烘干是100℃加熱90s。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種柔性疏水基襯底上圖案化刻蝕PEDOT:PSS透明電極的紫外光刻方法，其特征在于步驟二獲得的光刻膠層厚度大于預刻蝕的PEDOT:PSS薄膜的厚度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種柔性疏水基襯底上圖案化刻蝕PEDOT:PSS透明電極的紫外光刻方法，其特征在于步驟三中曝光時間為1s-2s，曝光能量密度20mW/cm²，烘干為105℃下保持60s，顯影時間為60s。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種柔性疏水基襯底上圖案化刻蝕PEDOT:PSS透明電極的紫外光刻方法，其特征在于步驟四中有機溶劑為丙酮、乙醇或氮甲基吡咯烷酮。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種柔性疏水基襯底上圖案化刻蝕PEDOT:PSS透明電極的紫外光刻方法，其特征在于步驟四中超聲功率為20W-80W，時間為1-10s。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種柔性疏水基襯底上圖案化刻蝕PEDOT:PSS透明電極的紫外光刻方法，其特征在于步驟四烘干固定處理是在90℃-110℃下保持10min。