[發(fā)明專利]反應(yīng)裝置及使用該反應(yīng)裝置制備最終產(chǎn)物的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110281394.2 | 申請(qǐng)日: | 2021-03-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113019265B | 公開(公告)日: | 2022-09-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉見華;趙雄;萬燁;趙宇;嚴(yán)大洲 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)恩菲工程技術(shù)有限公司;洛陽中硅高科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | B01J8/04 | 分類號(hào): | B01J8/04;B01D3/14;B01D3/32;C01B33/107 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 杜德海 |
| 地址: | 100038*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 反應(yīng) 裝置 使用 制備 最終 產(chǎn)物 方法 | ||
本發(fā)明屬于化工領(lǐng)域,具體涉及一種反應(yīng)裝置,還涉及一種使用該反應(yīng)裝置制備最終產(chǎn)物的方法。所述反應(yīng)裝置包括中間產(chǎn)物制備器和最終產(chǎn)物制備器,中間產(chǎn)物制備器具有第一容納腔、原料進(jìn)口和中間產(chǎn)物出口,其中,第一容納腔內(nèi)設(shè)有第一催化劑層和第一精餾層,第一精餾層位于第一催化劑層的上方,中間產(chǎn)物出口位于第一精餾層的上方;最終產(chǎn)物制備器具有第二容納腔、中間產(chǎn)物進(jìn)口和第一最終產(chǎn)物出口,中間產(chǎn)物進(jìn)口與中間產(chǎn)物出口連通,第二容納腔內(nèi)設(shè)有第二催化劑層和第二精餾層,第二精餾層位于第二催化劑層的上方,第一最終產(chǎn)物出口位于第二精餾層的上方。本發(fā)明實(shí)施例的反應(yīng)裝置具有反應(yīng)條件寬松、反應(yīng)容易控制、雜質(zhì)生成少、反應(yīng)成本低等優(yōu)點(diǎn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于化工領(lǐng)域,具體涉及一種反應(yīng)裝置,還涉及一種使用該反應(yīng)裝置制備最終產(chǎn)物的方法。
背景技術(shù)
一氯硅烷在半導(dǎo)體制造工藝中主要用于氮化膜的沉積,與三氯氫硅、二氯二氫硅等無機(jī)硅相比,其具有沉積溫度低、硅含量高和沉積過程消耗低的優(yōu)點(diǎn),此外,一氯硅烷也是合成三甲硅烷基的原材料。半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展,對(duì)一氯硅烷的需求迅速增加。一氯硅烷是三氯氫硅歧化制備硅烷的中間產(chǎn)品,三氯氫硅歧化反應(yīng)制備硅烷包括以下三個(gè)平衡反應(yīng):
上述第一反應(yīng)為:三氯氫硅歧化反應(yīng)生成二氯二氫硅和四氯化硅,第二反應(yīng)為:二氯二氫硅歧化反應(yīng)生成三氯氫硅和一氯硅烷,第三反應(yīng)為:一氯硅烷歧化反應(yīng)生成二氯二氫硅和硅烷,三個(gè)平衡反應(yīng)均為可逆反應(yīng)。
申請(qǐng)公布號(hào)為CN103354802A的發(fā)明專利申請(qǐng)公開了一種一氯硅烷的制備方法和裝置,采用二氯二氫硅和硅烷作為原料在催化劑作用下反應(yīng)生成一氯硅烷,即利用上述的第三反應(yīng)的逆反應(yīng)制備一氯硅烷。一方面,受反應(yīng)平衡的限制,導(dǎo)致最終產(chǎn)物一氯硅烷轉(zhuǎn)化率較低、產(chǎn)量低,規(guī)模化制備難度大。另一方面,需要通過調(diào)整原料的配比來控制反應(yīng)產(chǎn)物,而在反應(yīng)過程中不可避免的會(huì)通過其他反應(yīng)生成二氯二氫硅,導(dǎo)致原料配比難以控制。此外,二氯二氫硅價(jià)格昂貴,來源受限,導(dǎo)致一氯硅烷制備成本較高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是基于發(fā)明人對(duì)以下事實(shí)和問題的發(fā)現(xiàn)和認(rèn)識(shí)做出的:
上述三氯氫硅歧化反應(yīng)制備硅烷的三個(gè)反應(yīng)均為可逆反應(yīng),當(dāng)某一反應(yīng)達(dá)到平衡時(shí),通過將該反應(yīng)的產(chǎn)物分離出,能促使該反應(yīng)向生成該產(chǎn)物的方向繼續(xù)進(jìn)行。
三氯氫硅的沸點(diǎn)為31.8℃,二氯二氫硅的沸點(diǎn)為8.3℃,四氯化硅的沸點(diǎn)為57.6℃,一氯硅烷的沸點(diǎn)為-30.4℃,硅烷的沸點(diǎn)為-111.9℃,上述五種產(chǎn)品的沸點(diǎn)相差較大。
本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問題之一。
為此,本發(fā)明一方面提供了一種反應(yīng)裝置,以提高最終產(chǎn)物的轉(zhuǎn)化率,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)最終產(chǎn)物的規(guī)模化制備。
本發(fā)明另一方面提供了一種利用反應(yīng)裝置制備最終產(chǎn)物的制備方法。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的反應(yīng)裝置,所述反應(yīng)裝置包括:
中間產(chǎn)物制備器,所述中間產(chǎn)物制備器具有第一容納腔以及與所述第一容納腔連通的原料進(jìn)口和中間產(chǎn)物出口,其中,所述第一容納腔內(nèi)設(shè)有第一催化劑層和第一精餾層,所述第一精餾層位于所述第一催化劑層的上方,所述中間產(chǎn)物出口位于所述第一精餾層的上方;和
最終產(chǎn)物制備器,所述最終產(chǎn)物制備器具有第二容納腔以及與所述第二容納腔連通的中間產(chǎn)物進(jìn)口和第一最終產(chǎn)物出口,所述中間產(chǎn)物進(jìn)口與所述中間產(chǎn)物出口連通,其中,所述第二容納腔內(nèi)設(shè)有第二催化劑層和第二精餾層,所述第二精餾層位于所述第二催化劑層的上方,所述第一最終產(chǎn)物出口位于所述第二精餾層的上方。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)恩菲工程技術(shù)有限公司;洛陽中硅高科技有限公司,未經(jīng)中國(guó)恩菲工程技術(shù)有限公司;洛陽中硅高科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110281394.2/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





