[發明專利]一種碳化硅場效應管的控制電路、功率模塊及電力變換器有效
| 申請號: | 202110280155.5 | 申請日: | 2021-03-16 |
| 公開(公告)號: | CN112886795B | 公開(公告)日: | 2022-06-07 |
| 發明(設計)人: | 蘭欣;崔曉;劉祥龍 | 申請(專利權)人: | 山東大學 |
| 主分類號: | H02M1/08 | 分類號: | H02M1/08;H02M1/088;H02M1/36 |
| 代理公司: | 濟南圣達知識產權代理有限公司 37221 | 代理人: | 祖之強 |
| 地址: | 250061 山東*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 碳化硅 場效應 控制電路 功率 模塊 電力 變換器 | ||
1.一種碳化硅場效應管的控制電路,其特征在于,包括供電電路、驅動電阻、供電啟動電路、延時電路和第三開關管,所述供電電路、驅動電阻以及待控制的SIC MOSFET電路依次連接,供電啟動電路連接延時電路,供電啟動電路和延時電路共同設置在供電電路和第三開關管之間,供電啟動電路輸出電壓的正負控制第三開關管的開通或關斷;
所述供電電路包括并聯的第一供電支路和第二供電支路,所述第一供電支路包括依次串聯的第一電源和第一開關管,所述第二供電支路包括依次串聯的第二電源和第二開關管;
延時電路包括依次串聯的第六電阻和電容,電容接地;第六電阻和電容之間的中間點與第三開關管的柵極連接,第三開關管的漏極與待控制的SIC MOSFET電路的柵極連接;
所述供電啟動電路包括第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4、第五電阻R5、運算放大器OP1和外接電源VCC,運算放大器OP1的同相輸入端分別連接第三電阻R3的一端和第五電阻R5的一端,運算放大器OP1的反向輸入端分別連接第二電阻R2的一端和第四電阻R4的一端,運算放大器OP1的負電源端連接地,運算放大器OP1的正電源端連外接電源VCC,運算放大器OP1的輸出端分別連接第四電阻R4的另一端和第六電阻R6的一端,第二電阻R2的另一端分別連接第一開關管Q1的源極、第二開關管Q2的漏極以及驅動電阻R1的一端,第三電阻的R3的另一端分連接驅動電阻R1的另一端、第三開關管Q3的漏極以及待控制的SIC MOSFET電路的柵極。
2.根據權利要求1所述的碳化硅場效應管的控制電路,其特征在于,所述延時電路用于控制第三開關管的開通時間。
3.根據權利要求1所述的碳化硅場效應管的控制電路,其特征在于,所述第一電源的負極端和第二電源的正極端分別與地連接。
4.根據權利要求1所述的碳化硅場效應管的控制電路,其特征在于,所述第一供電支路和第二供電支路的中間點連接驅動電阻的一端,驅動電阻的另一端連接待控制的SICMOSFET電路的柵極。
5.一種功率模塊,其特征在于,所述功率模塊的電力變換電路的開關管采用權利要求1-4任一項所述的碳化硅場效應管的控制電路提供驅動電壓。
6.一種電力變換器,其特征在于,所述電力變換器采用權利要求1-4任一項所述的碳化硅場效應管的控制電路,用于為變換器中的開關管提供驅動電壓。
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H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉換以及用于與電源或類似的供電系統一起使用的設備;直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉換;以及它們的控制或調節
H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態變換器內的放電管產生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導電氣體放電管或等效的半導體器件的專用電路,例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態變換器中的半導體器件產生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負載供電的變換裝置的設備,例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置





