[發明專利]一種基于二維材料的微流通道的制備方法和微流控制器件

有效

• 申請號: 202110280105.7
• 申請日: 2021-03-16
• 公開（公告）號: CN113058665B
• 公開（公告）日: 2022-05-10
• 發明（設計）人: 郭玉拓;張廣宇;時東霞;楊蓉
• 申請（專利權）人: 中國科學院物理研究所
• 主分類號: B01L3/00
• 分類號: B01L3/00
• 代理公司: 北京市正見永申律師事務所 11497
• 代理人: 黃小臨;馮玉清

1.一種基于二維材料的微流通道的制備方法，包括以下步驟：

在襯底上獲得二維材料；

在所述二維材料上通過磁控濺射或氣相沉積來沉積無機薄膜；以及

釋放所述無機薄膜中的應力使得所述二維材料產生形變，從而在所述二維材料和所述襯底的界面之間形成微流通道，

其中，所述釋放所述無機薄膜中的應力使得所述二維材料產生形變包括：

將所述薄膜置于潮濕環境中或者將所述薄膜與水接觸從而激發所述二維材料產生形變，

其中，所述在襯底上獲得二維材料包括：通過沉積方法、外延方法或析出方法在所述襯底上生長二維材料，或者將二維材料轉移到所述襯底上。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述襯底包括藍寶石、氮化硅或銅箔。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述方法還包括：

在所述生長二維材料前，對所述襯底進行預處理，以使得所述襯底的表面平整。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述二維材料包含單層或多層的二維材料。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述無機薄膜包含硅、金屬或金屬氧化物。

6.根據前述任一項權利要求所述的方法，其中，所述方法還包括：

在所述二維材料上沉積無機薄膜之前，在所述二維材料上沉積保護層。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述方法還包括：

對所述無機薄膜通過掩膜曝光的方式進行圖案化處理以控制所述微流通道形成的區域和方向。

8.一種微流控制器件，包括：

襯底；

二維材料，其布置在所述襯底上；

無機薄膜，其布置在所述二維材料上方；以及

微流通道，其形成在所述二維材料和所述襯底的界面之間，其中，所述微流通道通過釋放所述無機薄膜中的應力使得所述二維材料產生形變而形成，所述釋放所述無機薄膜中的應力使得所述二維材料產生形變包括將所述薄膜置于潮濕環境中或者將所述薄膜與水接觸從而激發所述二維材料產生形變。