[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202110279890.4
• 申請日: 2014-03-04
• 公開（公告）號: CN113178479A
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發明（設計）人: 中野佑紀;中村亮太
• 申請（專利權）人: 羅姆股份有限公司
• 主分類號: H01L29/40
• 分類號: H01L29/40;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/417;H01L29/10
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 何欣亭;姜冰

1.一種寬帶隙半導體裝置，其中具有：

半導體襯底；

所述半導體襯底上的第一柵極絕緣膜；

所述第一柵極絕緣膜上的第一柵極電極；

所述半導體襯底上的第二柵極絕緣膜；以及

所述第二柵極絕緣膜上的第二柵極電極，

在所述半導體襯底的所述第一柵極電極和所述第二柵極電極之間的部分，形成有與所述半導體襯底的所述第一柵極電極及所述第二柵極電極正下方的部分相比凹陷的第一凹部。

2.如權利要求1所述的寬帶隙半導體裝置，其中，

在所述半導體襯底的外周部形成有第二凹部。

3.如權利要求2所述的寬帶隙半導體裝置，其中，

在所述外周部的表面形成有p型雜質區域。

4.如權利要求3所述的寬帶隙半導體裝置，其中，

在所述半導體襯底上形成有源極電極。

5.如權利要求4所述的寬帶隙半導體裝置，其中，

在所述第一柵極電極和所述第二柵極電極之間的區域，形成有源極接觸區域。

6.如權利要求5所述的寬帶隙半導體裝置，其中，

所述第一柵極電極及所述第二柵極電極包括平面型柵極電極。

7.如權利要求6所述的寬帶隙半導體裝置，其中，

在截面視中，在所述源極電極和所述外周部之間形成有柵極指。

8.如權利要求7所述的寬帶隙半導體裝置，其中，

所述柵極指的高度與所述源極電極的高度大致相同。

9.如權利要求8所述的寬帶隙半導體裝置，其中，

所述源極電極由包含鋁的材料形成。

10.如權利要求9所述的寬帶隙半導體裝置，其中，

所述柵極指由包含鋁的材料形成。

11.如權利要求10所述的寬帶隙半導體裝置，其中，

在所述柵極指和所述半導體襯底的所述外周部之間形成有外周源極電極。

12.如權利要求11所述的寬帶隙半導體裝置，其中，

所述半導體襯底由SiC、GaN或金剛石形成。

13.如權利要求12所述的寬帶隙半導體裝置，其中，

還包含所述源極接觸區域中所述半導體襯底和所述源極電極之間的鈦材料。

14.如權利要求13所述的寬帶隙半導體裝置，其中，

所述第一柵極絕緣膜及所述第二柵極絕緣膜由包含硅的材料形成。

15.如權利要求14所述的寬帶隙半導體裝置，其中，

所述第一柵極電極及所述第二柵極電極由包含多晶硅的材料形成。

16.如權利要求15所述的寬帶隙半導體裝置，其中，

在所述源極電極的表面仿照所述半導體襯底的表面形成有凹陷。

17.如權利要求15所述的寬帶隙半導體裝置，其中，

所述第一凹部的深度與所述第二凹部的深度大致相同。

18.如權利要求15所述的寬帶隙半導體裝置，其中，

所述第一凹部與所述第二凹部由同一工序形成。