[發明專利]陣列基板及顯示面板

有效

• 申請號: 202110279598.2
• 申請日: 2021-03-16
• 公開（公告）號: CN113075825B
• 公開（公告）日: 2022-05-17
• 發明（設計）人: 張鑫
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 徐世俊

本發明提供一種陣列基板及顯示面板。陣列基板設有多排像素單元；每一像素單元均設有晶體管區，在所述晶體管區內設有主晶體管單元、次晶體管單元以及共享晶體管單元；所述共享晶體管單元包括源極和漏極；每一排所述像素單元設有一共享金屬走線；所述共享金屬走線設于所述晶體管區上方且沿該排所述像素單元的排布方向延伸，并依次電連接至每一像素單元的所述共享晶體管單元的源極。本發明采用氧化銦錫材質的共享金屬走線電連接至每一像素單元的所述共享晶體管單元的源極，實現了共享晶體管單元的源極不用貫穿像素區設置，從而提升了像素區的開口率，提升了顯示面板的穿透率；共享金屬走線將共享晶體管單元連接，能統一控制共享晶體管單元的漏電。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別是涉及一種陣列基板及顯示面板。

背景技術

多疇取向液晶顯示(Multi-domain alignment liquid crystal displays，MVALCDs)憑借高對比和廣視角的優勢在大尺寸液晶顯示和電視機應用中得到了廣泛的應用。隨著屏幕尺寸向大屏化的演化，八疇的像素設計以其優異的視角表現而在大尺寸顯示器中受到重視。

如圖1所示，為現有的一種八疇像素結構的陣列基板平面結構示意圖，該陣列基板91包括晶體管區901以及位于其上下兩側的主像素區902和次像素區903，晶體管區901主要采用3T結構。

如圖2所示，為現有的另一種八疇像素結構的陣列基板平面結構示意圖，該陣列基板92利用子數據屏蔽架構(Sub Data Shiled，SDS)設計，在圖1所示架構的基礎上去除數據線(Data)側的公共電極(ACOM)，采用子像素電極(Sub PE)與數據線交疊，屏蔽數據線電場，次像素區903的子像素電極形成對主像素區902的子像素電極半包圍結構，減小主像素區902的子像素電極與數據線的耦合電容，從而在不影響視角品味的基礎上達到增大開口率(也稱透光率)近10％目的。SDS架構可以大幅提高液晶面板的穿透率近10％，從而提升畫質，提高產品的競爭力。

但是上述圖2所示像素結構中3T結構的共享晶體管904的漏極均是按照縱列方式排布，且都采用不透明的金屬材質制作漏極，該漏極貫穿主像素區902和次像素區903，導致主像素區902和次像素區903的開口率低。

因此，十分有必要提出一種新的陣列基板及顯示面板以實現高開口率的目的。

發明內容

本發明的目的在于，提供一種陣列基板及顯示面板，用以解決現有的八疇像素結構中3T結構的共享晶體管的漏極均是按照縱列方式排布，且都采用不透明的金屬材質制作漏極，該漏極貫穿主像素區和次像素區，導致主像素區和次像素區的開口率低的技術問題。

為實現上述目的，本發明提供一種陣列基板，設有多排像素單元；每一像素單元均設有晶體管區，在所述晶體管區內設有主晶體管單元、次晶體管單元以及共享晶體管單元；所述共享晶體管單元包括源極和漏極；每一排所述像素單元設有一共享金屬走線；所述共享金屬走線設于所述晶體管區上方且沿該排所述像素單元的排布方向延伸，并依次電連接至每一像素單元的所述共享晶體管單元的源極。

進一步地，所述共享晶體管單元包括層疊設置的玻璃基板、第一金屬層、柵極絕緣層、第二金屬層、鈍化層以及所述共享金屬走線；所述第一金屬層設于所述玻璃基板上；所述柵極絕緣層設于所述玻璃基板上并覆蓋所述第一金屬層；所述第二金屬層設于所述柵極絕緣層上；所述鈍化層設于所述柵極絕緣層上并覆蓋所述第二金屬層，并設有過孔裸露所述第二金屬層的上表面；所述共享金屬走線設于所述鈍化層上并穿過所述過孔與所述第二金屬層電連接。

進一步地，所述共享金屬走線在對應所述過孔位置設有加寬部，所述加寬部朝向所述晶體管區一側凸出于所述共享金屬走線的邊緣。

進一步地，所述像素單元包括紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素，所述共享金屬走線與所述藍色子像素電連接。

進一步地，所述晶體管區內設有掃描線，所述共享金屬走線與所述掃描線平行設置。