[發明專利]反射模塊和包括反射模塊的相機模塊

在審

• 申請號: 202110279289.5
• 申請日: 2021-03-16
• 公開（公告）號: CN113495340A
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發明（設計）人: 金在京;安秉基;李重錫;康桓準
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: G02B7/182
• 分類號: G02B7/182;G02B7/198;G03B17/12;G03B17/17;G03B30/00
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 王達佐;王艷春

1.相機模塊，包括：

透鏡模塊，包括沿光軸設置的多個透鏡；

殼體，容納所述透鏡模塊；

反射模塊，設置在所述透鏡模塊的前方，并且包括配置成改變光路的反射構件以及其中安裝有所述反射構件的支架；以及

外殼，聯接到所述殼體以覆蓋所述殼體的上部部分，

其中，所述反射模塊設置成繞垂直于所述光軸的第一軸和第二軸樞轉，

其中，配置成感測所述反射模塊相對于所述第一軸的位置變化的第一位置傳感器設置在所述殼體中，

其中，配置成感測所述反射模塊相對于所述第二軸的位置變化的第二位置傳感器設置在所述殼體中，以及

其中，所述第一位置傳感器的靈敏度不同于所述第二位置傳感器的靈敏度。

2.根據權利要求1所述的相機模塊，其中，所述第一軸形成在所述殼體的厚度方向上，并且所述第二軸形成在所述殼體的寬度方向上，以及

其中，所述第二位置傳感器的靈敏度高于所述第一位置傳感器的靈敏度。

3.根據權利要求2所述的相機模塊，其中，所述第一位置傳感器的靈敏度小于1.0mV/mT，并且所述第二位置傳感器的靈敏度為1.0mV/mT或更高。

4.根據權利要求2所述的相機模塊，其中，所述第一位置傳感器的靈敏度小于1.0mV/mT，并且所述第二位置傳感器的靈敏度為2.0mV/mT或更高。

5.根據權利要求1所述的相機模塊，其中，所述第一軸形成在所述殼體的厚度方向上，并且所述第二軸形成在所述殼體的寬度方向上，以及

其中，所述第一位置傳感器為霍爾傳感器，以及所述第二位置傳感器為隧道磁阻傳感器。

6.根據權利要求1所述的相機模塊，還包括：

第一驅動部分，配置成使所述反射模塊繞所述第一軸旋轉；以及

第二驅動部分，配置成使所述反射模塊繞所述第二軸旋轉，

其中，所述第一驅動部分包括設置在所述反射模塊上的第一磁體和與所述第一磁體相對的第一線圈，以及

其中，所述第二驅動部分包括設置在所述反射模塊上的第二磁體和與所述第二磁體相對的第二線圈。

7.根據權利要求6所述的相機模塊，其中，所述第一磁體具有在所述第一軸的方向上具有長度的形狀，以及

其中，所述第一磁體的與所述第一線圈相對的表面沿所述光軸具有第一極、中性區和第二極。

8.根據權利要求7所述的相機模塊，其中，所述第一位置傳感器設置成與所述第一磁體的所述中性區相對。

9.根據權利要求6所述的相機模塊，其中，所述第二磁體具有在所述光軸的方向上具有長度的形狀，以及

其中，所述第二磁體的與所述第二線圈相對的表面沿著所述第一軸具有第一極、中性區和第二極。

10.根據權利要求9所述的相機模塊，其中，所述第二位置傳感器設置成與所述第二磁體的所述中性區相對。

11.根據權利要求6所述的相機模塊，其中，所述第一磁體和所述第二磁體設置在所述支架的側壁上，以及

其中，與所述第一磁體相比，所述第二磁體設置成更靠近所述透鏡模塊。

12.根據權利要求6所述的相機模塊，其中，所述第一驅動部分配置成在所述光軸的方向上產生驅動力，以及

其中，所述第二驅動部分配置成在所述第一軸的方向上產生驅動力。