[發明專利]Si系活性物質的制造方法在審
| 申請號： | 202110278679.0 | 申請日： | 2021-03-15 |
| 公開（公告）號： | CN113443632A | 公開（公告）日： | 2021-09-28 |
| 發明（設計）人： | 吉田淳;鈴木一裕;大瀧光俊 | 申請（專利權）人： | 豐田自動車株式會社 |
| 主分類號： | C01B33/06 | 分類號： | C01B33/06;H01M4/58;H01M10/0525;H01M10/054 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人： | 劉航;王瀟悅 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | si 活性 物質 制造 方法 | ||
1.一種Si系活性物質的制造方法，所述Si系活性物質包含具有II型籠合物晶相的Si系籠形化合物，所述制造方法的特征在于，具有：
在340℃以上且低于400℃的溫度下對含有Na元素和Si元素的合金進行熱處理從而制備所述Si系籠形化合物的第1熱處理工序；
在所述第1熱處理工序后，在340℃以上且低于470℃的溫度下對所述Si系籠形化合物進行熱處理的第2熱處理工序；
在所述第2熱處理工序后，將所述Si系籠形化合物冷卻到低于340℃的溫度的冷卻工序；以及
在所述冷卻工序后，在340℃以上且低于470℃的溫度下對所述Si系籠形化合物進行熱處理的第3熱處理工序。
2.根據權利要求1所述的Si系活性物質的制造方法，在所述第3熱處理工序中，將所述Si系籠形化合物與SiO一起在340℃以上且小于470℃的溫度下進行熱處理。
3.根據權利要求1或2所述的Si系活性物質的制造方法，所述第1熱處理工序中的熱處理溫度為340℃以上且395℃以下。
4.根據權利要求1～3中任一項所述的Si系活性物質的制造方法，所述合金中，包含相對于1摩爾所述Si元素為0.8摩爾以上且1.5摩爾以下的所述Na元素。
5.根據權利要求1～4中任一項所述的Si系活性物質的制造方法，所述第1熱處理工序中的熱處理時間為14小時以下。
6.根據權利要求1～5中任一項所述的Si系活性物質的制造方法，所述第2熱處理工序中的熱處理時間為6小時以下。
7.根據權利要求1～6中任一項所述的Si系活性物質的制造方法，所述第3熱處理工序中的熱處理時間為16小時以下。
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