[發明專利]帶失效分析標尺的電遷移測試結構

有效

• 申請號: 202110278611.2
• 申請日: 2021-03-15
• 公開（公告）號: CN113066782B
• 公開（公告）日: 2023-08-18
• 發明（設計）人: 王焱;朱月芹;陸黎明;徐敏;陳雷剛
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/66;G01R31/26;G01B21/20
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 周耀君

1.一種帶失效分析標尺的電遷移測試結構，其特征在于，包括測試金屬線、測試金屬通孔、金屬引線、金屬線標尺及測試金屬墊，所述測試金屬線的端部通過所述測試金屬通孔與所述金屬引線的一端連接，所述金屬引線的另一端與所述測試金屬墊連接，所述金屬線標尺形成于一至少一層金屬層上，并用于定位所述測試金屬通孔的至少一個目標截面；

所述金屬線標尺包括相對設置的第一標尺及第二標尺，所述第一標尺包括至少一個第一標齒，所述第二標尺包括至少一個第二標齒，所述第一標齒與所述第二標齒一一對應且錯位分布，各個所述第一標齒的邊界與對應的所述第二標齒的邊界相切且分別與所述測試金屬通孔的各個目標截面對齊。

2.如權利要求1所述的帶失效分析標尺的電遷移測試結構，其特征在于，所述第一標齒與對應的所述第二標齒相鄰。

3.如權利要求1所述的帶失效分析標尺的電遷移測試結構，其特征在于，所述第一標齒為多個且相互平行，所述第二標齒為多個且相互平行。

4.如權利要求3所述的帶失效分析標尺的電遷移測試結構，其特征在于，相鄰的所述第一標齒及所述第二標齒之間的間距遵循最小尺寸設計規則。

5.如權利要求3所述的帶失效分析標尺的電遷移測試結構，其特征在于，所述第一標齒及所述第二標齒的寬度遵循最小尺寸設計規則。

6.如權利要求1所述的帶失效分析標尺的電遷移測試結構，其特征在于，所述金屬線標尺與所述測試金屬線位于同一金屬層。

7.如權利要求1所述的帶失效分析標尺的電遷移測試結構，其特征在于，所述金屬線標尺與所述測試金屬線位于不同金屬層。

8.如權利要求1所述的帶失效分析標尺的電遷移測試結構，其特征在于，所述帶失效分析標尺的電遷移測試結構還包括至少一個用于失效分析參照的對照金屬通孔，所述對照金屬通孔與所述測試金屬通孔位于同一層且相互平行，所述對照金屬通孔的中心與所述測試金屬通孔的中心的連線平行于所述目標截面。

9.如權利要求8所述的帶失效分析標尺的電遷移測試結構，其特征在于，所述對照金屬通孔與所述測試金屬通孔相鄰，且所述對照金屬通孔位于一開路的金屬線上。