[發明專利]用于場強檢測的方法、裝置及通信設備

在審

• 申請號: 202110278586.8
• 申請日: 2021-03-16
• 公開（公告）號: CN112666405A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發明（設計）人: 黃金煌
• 申請（專利權）人: 北京紫光青藤微系統有限公司
• 主分類號: G01R29/08
• 分類號: G01R29/08;G01R19/165
• 代理公司: 北京康盛知識產權代理有限公司 11331
• 代理人: 陶俊潔

本申請涉及場強檢測技術領域，公開一種用于場強檢測的方法，包括：獲取天線電壓和比較閾值電壓；獲取天線電壓對應的第一包絡檢波信號；根據第一包絡檢波信號與比較閾值電壓進行場強檢測。通過獲取天線載波幅度和比較閾值電壓，獲取天線載波幅度對應的第一包絡檢波信號，然后根據第一包絡檢波信號與比較閾值電壓進行場強檢測，包絡檢波可以跟隨天線電壓的波谷值變化，擴大了檢測到的天線電壓的幅值，使用對天線電壓進行包絡檢波后的得到包絡檢波信號來進行場強檢測，可以提高檢測場強是否存在的靈敏度。本申請還公開一種用于場強檢測的裝置及通信設備。

技術領域

本申請涉及場強檢測技術領域，例如涉及一種用于場強檢測的方法、裝置及通信設備。

背景技術

目前，一些通信設備在建立通信的過程中，需要首先進入偵聽模式，監測外部磁場存在與否，一旦監測到磁場存在就喚醒系統準備開始工作。

在實現本公開實施例的過程中，發現相關技術中至少存在如下問題：

現有的場強檢測方法，通過獲取天線端電壓和閾值電壓，通過比較器判斷天線端電壓是否超過閾值電壓進而判斷是否有外部場強的存在，這種方式要求天線載波電壓大于閾值電壓才能工作，在檢測低場強小載波幅度的場景中由于靈敏度較低而不適用。

發明內容

為了對披露的實施例的一些方面有基本的理解，下面給出了簡單的概括。所述概括不是泛泛評述，也不是要確定關鍵／重要組成元素或描繪這些實施例的保護范圍，而是作為后面的詳細說明的序言。

本公開實施例提供了一種用于場強檢測的方法、裝置及設備，以提高檢測場強是否存在的靈敏度。

在一些實施例中，用于場強檢測的方法包括：

獲取天線電壓和比較閾值電壓；

獲取天線電壓對應的第一包絡檢波信號；

根據第一包絡檢波信號與比較閾值電壓進行場強檢測。在一些實施例中，用于場強檢測的裝置包括：處理器和存儲有程序指令的存儲器，處理器被配置為在執行程序指令時，執行如上述的用于場強檢測的方法。

在一些實施例中，通信設備包括上述的用于場強檢測的裝置。

本公開實施例提供的用于場強檢測的方法、裝置和通信設備，可以實現以下技術效果：通過獲取天線載波幅度和比較閾值電壓，獲取天線載波幅度對應的第一包絡檢波信號，然后根據第一包絡檢波信號與比較閾值電壓進行場強檢測，包絡檢波可以跟隨天線電壓的波谷值變化，擴大了檢測到的天線電壓的幅值，使用對天線電壓進行包絡檢波后得到的包絡檢波信號來進行場強檢測，可以提高檢測場強是否存在的靈敏度。

以上的總體描述和下文中的描述僅是示例性和解釋性的，不用于限制本申請。

附圖說明

一個或多個實施例通過與之對應的附圖進行示例性說明，這些示例性說明和附圖并不構成對實施例的限定，附圖中具有相同參考數字標號的元件示為類似的元件，附圖不構成比例限制，并且其中：

圖1是本公開實施例提供的一個用于場強檢測的方法的示意圖；

圖2是本公開實施例提供的一個參考電壓產生電路示意圖；

圖3是本公開實施例提供的一個包絡檢波電路示意圖；

圖4是本公開實施例提供的一個用于場強檢測的裝置的示意圖。

附圖標記：

1：比較結果輸出端口；2：第一電容；3：第一電阻；4：第二MOS管；5：第一電流源；6：第二電容；7：第三MOS管8：第二電流源；9：第三電容；10：比較器；11：第一運算放大器；12：第一MOS管；13：偏置電壓輸出端；14：比較閾值電壓輸出端；15：第二電阻；16：第三電阻；17：第四電阻；18：第N-1電阻；19：第N電阻；20：第一開關；21：第二開關；22：第M開關；23：耦合電路連接端口；24：偏置電壓連接端口；25：比較閾值電壓連接端口。

具體實施方式